[實用新型]對準標記重現清洗裝置

有效

• 申請號: 201820062445.6
• 申請日: 2018-01-15
• 公開（公告）號: CN207743208U
• 公開（公告）日: 2018-08-17
• 發明（設計）人: 王溯;史筱超;李成克;耿志月;王衛衛
• 申請（專利權）人: 上海新陽半導體材料股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/68;H01L21/02
• 代理公司: 上海弼興律師事務所 31283
• 代理人: 薛琦;何橋云

本實用新型公開了一種對準標記重現清洗裝置。對準標記重現清洗裝置包括基板、清洗桶、第一液管、噴嘴和真空管道。基板用于放置晶圓。清洗桶架設于晶圓的上方，清洗桶的外壁與內壁之間形成有環形空間。第一液管位于環形空間內，第一液管的出液口對應于晶圓上的對準標記，且第一液管的出液口的大小與對準標記的大小相適配。噴嘴設于清洗桶上，噴嘴與第一液管的進液口相連通，噴嘴用于向第一液管內通入刻蝕劑和清洗劑。真空管道設于清洗桶上，真空管道與環形空間相連通，真空管道的遠離所述清洗桶的一端用于連接于真空設備。該對準標記重現清洗裝置能夠減少刻蝕劑和清洗劑的用量，減少對晶圓的二次污染。

技術領域

本實用新型涉及半導體領域，特別涉及一種對準標記重現清洗裝置。

背景技術

隨著半導體積體電路的集積度不斷地提高，積體電路的設計也跟著越來越復雜，積體電路的決定尺寸也跟著越來越小。當半導體積體電路的制程進入0.1微米以下的制程時，因為積體電路是由多層線路圖案重疊而成的，每層線路圖案的對準對制程的品質有極大的影響。

如圖1和圖2所示，在晶圓10上，一般有兩個對準標記100位于晶圓邊緣的位置上，其總面積大小約為450平方微米左右，對準標記100是由相互垂直的多個平行溝渠101、102排列而成。溝渠101、102之間的寬度與間距大約為8微米左右，溝渠101、102之間的深度約為0.12微米左右。因此，即使對準標記100上面覆蓋有好幾層的薄膜，溝渠之間所造成的起伏外形仍然可以辨識的出來。

在當前的晶圓制程中，在重疊上下兩層的線路圖案時，通常是利用500-630nm的激光照射對準標記，利用晶圓表面反射九波所形成的光程差來辨識對準標記以完成對準。但這要求對準標記的階梯高度必須達到一個最少值一上，如20nm以上，才能提供夠清楚的對準信號，然后才進行微影蝕刻的步驟，轉移光罩上的線路圖案至薄膜上。然而在對準標記上的薄膜經常會或多或少地改變對準標記的起伏外形，造成對準標記的光干涉訊號中心的偏移。此外，有些材質的薄膜會吸收500-630nm的激光，使得對準標記的訊號十分不清楚。若為此而重新制造新的光罩，來去除對準標記上的薄膜，勢必要花很大的制造成本與制造時間。另外，有時在制程過程中還會衍生一些其他問題。以制造淺溝渠隔離來說，在化學機械研磨過程中來去除氮化硅層上的氧化硅層：如果在化學機械研磨步驟以后才進行微影蝕刻制程，將對準標記區域上的氧化硅層蝕刻掉，對對準的影響較小；如果在化學機械研磨步驟之前就進行微影蝕刻制程，將對準標記區域上的氧化硅層蝕刻掉，則氧化硅與研漿的殘渣很容易殘留在對準標記的溝渠內，造成不易辨識對準標記的問題。

此外，在現有技術中，利用清洗設備或者裝置使對準標記重現而進行的蝕刻、清洗的工藝過程中，通常會出現刻蝕劑、清洗劑用量過大，刻蝕劑、清洗劑、以及刻蝕殘渣會造成晶圓的二次污染和成品良率降低以及操作使用不方便的問題。

綜上，現有技術中的對準標記重現清洗裝置具有刻蝕劑、清洗劑用量過大及易造成晶圓的二次污染的缺陷。

實用新型內容

本實用新型要解決的技術問題是為了克服現有技術中的對準標記重現清洗裝置具有刻蝕劑、清洗劑用量過大及易造成晶圓的二次污染的缺陷，提供一種對準標記重現清洗裝置。

本實用新型是通過下述技術方案來解決上述技術問題：

一種對準標記重現清洗裝置，用于使晶圓上的對準標記重現，其特點在于，所述對準標記重現清洗裝置包括：

基板，所述基板用于放置所述晶圓；

清洗桶，所述清洗桶架設于所述晶圓的上方，所述清洗桶的外壁與內壁之間形成有環形空間；

第一液管，所述第一液管位于所述環形空間內，所述第一液管的出液口對應于所述晶圓上的對準標記，且所述第一液管的出液口的大小與所述對準標記的大小相適配；