[實(shí)用新型]一種硅基三維異構(gòu)集成的射頻微系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201820060293.6
• 申請(qǐng)日: 2018-01-15
• 公開（公告）號(hào): CN207861877U
• 公開（公告）日: 2018-09-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳雪平;王志宇;張勛;朱丹丹;田鋒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杭州臻鐳微波技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): B81B7/00
• 分類號(hào): B81B7/00;B81C1/00
• 代理公司: 杭州奧創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 33272
• 代理人: 王佳健

1.一種硅基三維異構(gòu)集成的射頻微系統(tǒng)，其特征在于，包括：

第一硅襯底層（101）、第二硅襯底層（102）、第三硅襯底層（103）、第四硅襯底層（104）、射頻功放芯片（01）、射頻低噪放芯片（02）、射頻濾波器（03）和射頻開關(guān)（04）；

第一硅襯底層（101）和第三硅襯底層（103）的正面，第二硅襯底層（102）和第四硅襯底層（104）的背面，均蝕刻有腔體（05）；

第一硅襯底層（101）、第二硅襯底層（102）、第三硅襯底層（103）和第四硅襯底層（104），均設(shè)有第一硅通孔（06）；

第一硅襯底層（101）、第二硅襯底層（102）、第三硅襯底層（103）和第四硅襯底層（104），正面和背面均設(shè)有互連線（07）；

其中：射頻功放芯片（01）、射頻濾波器（03）和射頻開關(guān)（04）位于第一硅襯底層（101）的腔體（05）中，射頻低噪放芯片（02）和射頻濾波器（03）位于第三硅襯底層（103）的腔體（05）中，所述射頻功放芯片（01）、射頻低噪放芯片（02）、射頻濾波器（03）和射頻開關(guān)（04）均通過引線（08）與硅襯底層上的互連線（07）連接；

第一硅襯底層（101）、第二硅襯底層（102）、第三硅襯底層（103）和第四硅襯底層（104）堆疊連接形成三維集成；

第一硅襯底層（101）的背面設(shè)有用于與其它基板連接的焊接金屬球（09）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基三維異構(gòu)集成的射頻微系統(tǒng)，其特征在于：所述第一硅襯底層（101）、第二硅襯底層（102）、第三硅襯底層（103）和第四硅襯底層（104）為高阻硅襯底，電阻率大于1000Ω·cm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基三維異構(gòu)集成的射頻微系統(tǒng)，其特征在于：所述射頻功放芯片（01）為氮化鎵芯片、射頻低噪放芯片（02）為砷化鎵芯片、射頻濾波器（03）為體聲波器件和射頻開關(guān)（04）為砷化鎵芯片。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基三維異構(gòu)集成的射頻微系統(tǒng)，其特征在于：所述硅襯底層中的第一硅通孔（06）用于實(shí)現(xiàn)三維集成結(jié)構(gòu)中的垂直互連；所述射頻功放芯片（01）底部的第二硅通孔（06a）用于散熱和接地，所述射頻低噪放芯片（02）和射頻開關(guān)（04）底部的第三硅通孔（06b）用于接地。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基三維異構(gòu)集成的射頻微系統(tǒng)，其特征在于：所述互連線（07）為銅或金布線；所述引線（08）為鍵合金絲；所述焊接金屬球（09）為銅錫銀合金。