[實用新型]GaN基LED器件有效
| 申請號： | 201820059394.1 | 申請日： | 2018-01-15 |
| 公開（公告）號： | CN207765474U | 公開（公告）日： | 2018-08-24 |
| 發明（設計）人： | 張韻;趙璐;艾玉杰;孫莉莉;楊帥;程哲;張連;賈利芳;王軍喜 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 湯寶平 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制作 非摻雜GaN層 成核層 發光層 襯底 制備 器件性能 外延材料 | ||
【權利要求書】：
1.一種GaN基LED器件，包括：
一襯底；
一成核層，其制作在襯底上；
一非摻雜GaN層，其制作在成核層上；
一n型層，其制作在非摻雜GaN層上；
一發光層，其制作在n型層上；
一p型層，其制作在發光層上。
2.根據權利要求1所述的GaN基LED器件，其中所述襯底的材料為藍寶石、碳化硅、氮化鎵、氧化鎵、氧化鋅、氧化鎂、硅、玻璃或金屬。
3.根據權利要求1所述的GaN基LED器件，其中所述成核層的材料為AlN，厚度為1nm-500μm。
4.根據權利要求1所述的GaN基LED器件，其中所述非摻雜GaN層的材料為GaN、AlGaN或AlN，厚度為10nm-1μm。
5.根據權利要求1所述的GaN基LED器件，其中所述n型層的材料為GaN或AlGaN，厚度為10nm-1μm。
6.根據權利要求1所述的GaN基LED器件，其中所述發光層為單量子阱或多量子阱，材料為InGaN/GaN或AlGaN/AlGaN或GaN/AlGaN，周期為1-20，其中，阱的厚度為2-10nm，壘的厚度2-15nm。
7.根據權利要求1所述的GaN基LED器件，其中所述p型層的材料為GaN或AlGaN，厚度為10nm-1μm。
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