[實(shí)用新型]一種具有高散熱性能的數(shù)控衰減器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201820056815.5
• 申請日: 2018-01-11
• 公開（公告）號(hào): CN207382273U
• 公開（公告）日: 2018-05-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 魏啟迪;林甲富;章國豪;劉雁鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): H03H17/00
• 分類號(hào): H03H17/00
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 羅滿

1.一種具有高散熱性能的數(shù)控衰減器，其特征在于，包括N個(gè)串聯(lián)的衰減模塊，第一個(gè)衰減模塊的輸入端作為所述數(shù)控衰減器的輸入端，最后一個(gè)衰減模塊的輸出端作為所述數(shù)控衰減器的輸出端，N個(gè)所述衰減模塊環(huán)形排列；每個(gè)所述衰減模塊均由輸入至各自的控制端的控制信號(hào)控制衰減，其中：N為大于1的整數(shù)。

2.如權(quán)利要求1所述的數(shù)控衰減器，其特征在于，所述控制端包括主控制端和互補(bǔ)控制端，所述主控制端和所述互補(bǔ)控制端分別輸入的電壓信號(hào)互補(bǔ)，M個(gè)所述衰減模塊均包括第一電阻模塊、第二電阻模塊、第三電阻模塊、第一可控開關(guān)及第二可控開關(guān)，M＜N，其中：

所述第一電阻模塊的第一端分別與所述第二電阻模塊的第一端及所述第一可控開關(guān)的第一端連接，其公共端作為所在衰減模塊的輸入端，所述第一電阻模塊的第二端分別與所述第三電阻模塊的第一端及所述第一可控開關(guān)的第二端連接，其公共端作為所在衰減模塊的輸出端，所述第一可控開關(guān)的控制端作為所在衰減模塊的主控制端，所述第二電阻模塊的第二端分別與所述第三電阻模塊的第二端及所述第二可控開關(guān)的第一端連接，所述第二可控開關(guān)的第二端接地，所述第二可控開關(guān)的控制端作為所在衰減模塊的互補(bǔ)控制端。

3.如權(quán)利要求2所述的數(shù)控衰減器，其特征在于，M個(gè)所述衰減模塊還均包括第一分壓電阻、第二分壓電阻及第三分壓電阻，其中：

所述第一分壓電阻的第一端與所述第一可控開關(guān)的控制端連接，所述第一分壓電阻的第二端作為所在衰減模塊的主控制端，所述第二分壓電阻的第一端與所述第二可控開關(guān)的控制端連接，所述第二分壓電阻的第二端作為所在衰減模塊的互補(bǔ)控制端，所述第三分壓電阻的第一端與所述第二可控開關(guān)的第二端連接，所述第三分壓電阻的第二端接地。

4.如權(quán)利要求2所述的數(shù)控衰減器，其特征在于，N-M個(gè)所述衰減模塊均包括第四電阻模塊、第三可控開關(guān)、第四可控開關(guān)及與所述第四可控開關(guān)結(jié)構(gòu)相同的第五可控開關(guān)，其中：

所述第四電阻模塊的第一端分別與所述第三可控開關(guān)的第一端及所述第四可控開關(guān)的第一端連接，其公共端作為所在衰減模塊的輸入端，所述第四電阻模塊的第二端分別與所述第三可控開關(guān)的第二端及所述第五可控開關(guān)的第一端連接，其公共端作為所在衰減模塊的輸出端，所述第三可控開關(guān)的控制端作為所在衰減模塊的主控制端，所述第四可控開關(guān)的第二端接地，所述第五可控開關(guān)的第二端接地，所述第四可控開關(guān)的控制端與所述第五可控開關(guān)的控制端連接，其公共端作為所在衰減模塊的互補(bǔ)控制端。

5.如權(quán)利要求4所述的數(shù)控衰減器，其特征在于，N-M個(gè)所述衰減模塊還均包括第四分壓電阻、第五分壓電阻、第六分壓電阻、第七分壓電阻及第八分壓電阻，其中：

所述第四分壓電阻的第一端與所述第三可控開關(guān)的控制端連接，所述第四分壓電阻的第二端作為所在衰減模塊的主控制端，所述第五分壓電阻的第一端與所述第四可控開關(guān)的控制端連接，所述第六分壓電阻的第一端與所述第五可控開關(guān)的控制端連接，所述第五分壓電阻的第二端與所述第六分壓電阻的第二端連接，其公共端作為所在衰減模塊的互補(bǔ)控制端，所述第七分壓電阻的第一端與所述第四可控開關(guān)的第二端連接，所述第七分壓電阻的第二端接地，所述第八分壓電阻的第一端與所述第五可控開關(guān)的第二端連接，所述第八分壓電阻的第二端接地。

6.如權(quán)利要求2-5任一項(xiàng)所述的數(shù)控衰減器，其特征在于，所述第一電阻模塊、所述第二電阻模塊及所述第三電阻模塊均包括多個(gè)阻值小于預(yù)設(shè)阻值的電阻。

7.如權(quán)利要求4-5任一項(xiàng)所述的數(shù)控衰減器，其特征在于，所述第四電阻模塊包括多個(gè)阻值小于預(yù)設(shè)阻值的電阻。

8.如權(quán)利要求7所述的數(shù)控衰減器，其特征在于，該數(shù)控衰減器還包括加入在相鄰的衰減模塊的輸出端和輸入端之間的電感，其中，所述電感為電感值小于預(yù)設(shè)電感值的電感。

9.如權(quán)利要求8所述的數(shù)控衰減器，其特征在于，所述第一可控開關(guān)和/或所述第二可控開關(guān)和/或所述第三可控開關(guān)和/或所述第四可控開關(guān)和/或所述第五可控開關(guān)均為GaAspHEMT管，所述GaAs pHEMT管的漏極作為所述第一可控開關(guān)和/或所述第二可控開關(guān)和/或所述第三可控開關(guān)和/或所述第四可控開關(guān)和/或所述第五可控開關(guān)的第一端，所述GaAspHEMT管的源極作為所述第一可控開關(guān)和/或所述第二可控開關(guān)和/或所述第三可控開關(guān)和/或所述第四可控開關(guān)和/或所述第五可控開關(guān)的第二端，所述GaAs pHEMT管的柵極作為所述第一可控開關(guān)和/或所述第二可控開關(guān)和/或所述第三可控開關(guān)和/或所述第四可控開關(guān)和/或所述第五可控開關(guān)的控制端。