[實用新型]生長在鋁箔襯底上的氮化銦納米柱外延片有效
| 申請號： | 201820044545.6 | 申請日： | 2018-01-11 |
| 公開（公告）號： | CN208157359U | 公開（公告）日： | 2018-11-27 |
| 發明（設計）人： | 高芳亮;李國強;張曙光;溫雷 | 申請（專利權）人： | 華南理工大學 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L33/32;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245 | 代理人： | 陳智英 |
| 地址： | 510640 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米柱 鋁箔 襯底 外延片 本實用新型 氮化銦 生長 載流子 氮化物半導體器件 輻射復合效率 氮化物器件 發光效率 氧化鋁層 非晶態 高晶體 外延層 均一 | ||
【權利要求書】：
1.生長在鋁箔襯底上的氮化銦納米柱外延片，其特征在于：由下至上依次包括鋁箔襯底、非晶態氧化鋁層、AlN層和InN納米柱層。
2.根據權利要求1所述生長在鋁箔襯底上的氮化銦納米柱外延片，其特征在于：所述鋁箔襯底的厚度為100-800μm。
3.根據權利要求1所述生長在鋁箔襯底上的氮化銦納米柱外延片，其特征在于：所述InN納米柱層中InN納米柱直徑為30-80nm。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
