[實用新型]集成電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201820039754.1
• 申請日: 2018-01-10
• 公開（公告）號: CN208368507U
• 公開（公告）日: 2019-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: J·M·雷諾;L·斯塔克;F·卡克林
• 申請（專利權(quán)）人: 意法半導體(R&D)有限公司
• 主分類號: H01L27/142
• 分類號: H01L27/142
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種集成電路，其特征在于，包括：

襯底；

在所述襯底上實現(xiàn)的光伏電池，所述光伏電池被配置為生成電源電壓；以及

在所述襯底上實現(xiàn)的有源電路裝置，所述有源電路裝置由所述電源電壓供電。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述光伏電池與所述襯底隔離。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路，其特征在于，所述光伏電池被實現(xiàn)在深溝槽隔離環(huán)內(nèi)，所述深溝槽隔離環(huán)處于在所述襯底上實現(xiàn)的絕緣層上。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路，其特征在于，通過將N型阱電池實現(xiàn)在P型阱環(huán)內(nèi)、和在N-EPI或N-bulk襯底上實現(xiàn)的PISO絕緣層之上，所述光伏電池與所述襯底隔離。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路，其特征在于，通過將P型阱電池實現(xiàn)在N型阱環(huán)內(nèi)、和在P-EPI或P-bulk襯底上實現(xiàn)的NISO絕緣層之上，所述光伏電池與所述襯底隔離。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于，還包括耦合在所述電源電壓和接地電壓之間的電源電壓平滑電容器。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述有源電路裝置包括環(huán)境光傳感器；

其中所述環(huán)境光傳感器包括經(jīng)由開關(guān)耦合到所述電源電壓的光電二極管，所述開關(guān)被配置為將所述光電二極管復位并且由光電二極管輸出進行控制；

其中所述環(huán)境光傳感器進一步包括逆變器，所述逆變器具有耦合到所述光電二極管輸出的逆變器輸入、以及耦合到所述開關(guān)以控制所述光電二極管的所述復位的逆變器輸出；并且

其中所述集成電路包括串聯(lián)耦合的多個光伏電池，所述光伏電池是所述多個光伏電池中的一個；并且

其中串聯(lián)耦合的所述多個光伏電池被配置為生成所述電源電壓。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路，其特征在于，所述多個光伏電池還被配置為生成小于所述電源電壓的另外的電源電壓，所述逆變器由所述另外的電源電壓供電。

9.一種集成電路，其特征在于，包括：

襯底；

在所述襯底上實現(xiàn)的光伏電池，所述光伏電池被配置為生成電源電壓；以及

在所述襯底上實現(xiàn)的環(huán)境光傳感器，所述環(huán)境光傳感器由所述電源電壓供電，其中所述環(huán)境光傳感器包括光至頻率振蕩器，所述光至頻率振蕩器包括經(jīng)由開關(guān)耦合到所述電源電壓的光電二極管，所述開關(guān)被配置為將所述光電二極管復位并由光電二極管輸出進行控制。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成電路，其特征在于，所述環(huán)境光傳感器進一步包括逆變器，其中逆變器輸入被耦合到所述光電二極管輸出，并且逆變器輸出被耦合到所述開關(guān)來控制所述光電二極管的所述復位。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的集成電路，其特征在于，所述集成電路包括串聯(lián)耦合的多個光伏電池，所述光伏電池是所述多個光伏電池中的一個，并且其中所述多個光伏電池被配置為生成所述電源電壓，并且還被配置為生成小于所述電源電壓的另外的電源電壓。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路，其特征在于，所述逆變器由所述另外的電源電壓供電。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路，其特征在于，還包括耦合在所述另外的電源電壓和接地電壓之間的另外的電源電壓平滑電容器。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的集成電路，其特征在于，還包括耦合到所述逆變器的輸出的分頻器。