[實用新型]一種用于傳感器單晶硅刻蝕中的片架定位裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201820029397.0
• 申請日: 2018-01-09
• 公開（公告）號: CN207966916U
• 公開（公告）日: 2018-10-12
• 發(fā)明（設計）人: 張如根
• 申請（專利權）人: 蚌埠市龍子湖區(qū)金力傳感器廠
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/68
• 代理公司: 安徽力瀾律師事務所 34127
• 代理人: 王際復

本實用新型公開了一種用于傳感器單晶硅刻蝕中的片架定位裝置，包括：反應箱、氣源室、進氣管、出氣管、抽氣裝置、片架、旋轉(zhuǎn)電機、固定座、立柱、滾動球，所述氣源室設置在反應箱的一側(cè)，所述反應箱與氣源室之間通過進氣管連接，所述反應箱的底壁上連接一根出氣管，所述出氣管不與反應箱連接的另一端與抽氣裝置連接，所述旋轉(zhuǎn)電機固定安裝在反應箱下端面，所述旋轉(zhuǎn)電機輸出軸向上穿過反應箱底壁后末端固接一個固定座，所述片架固接在固定座上端面處，所述固定座下端面上周向均勻地固接有若干立柱，且每個立柱的下端均轉(zhuǎn)動安裝一個滾動球，所述反應箱底壁上開有環(huán)形槽，所述滾動球下端置于環(huán)形槽內(nèi)。本實用新型具有結構新穎、使用壽命長的優(yōu)點。

技術領域

本實用新型涉及一種用于傳感器單晶硅刻蝕中的片架定位裝置，應用于傳感器加工技術領域。

背景技術

刻蝕技術是在半導體工藝中，按照掩模圖形或設計要求對半導體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的技術，在傳感器單晶硅加工過程中，均需對其進行刻蝕處理，通常將單晶硅置于旋轉(zhuǎn)的片架上，然后向片架所在位置導入反應氣體，使反應氣體在電場環(huán)境下產(chǎn)生等離子體，然而現(xiàn)有的片架在旋轉(zhuǎn)過程中，在使用一段時間后，容易發(fā)生偏移，使用周期較短，同時偏移的片架若繼續(xù)使用，會嚴重影響刻蝕效果。

實用新型內(nèi)容

為解決現(xiàn)有技術方案的缺陷，本實用新型公開了一種用于傳感器單晶硅刻蝕中的片架定位裝置，具有結構新穎、使用壽命長的優(yōu)點。

本實用新型公開了一種用于傳感器單晶硅刻蝕中的片架定位裝置，包括：反應箱、氣源室、進氣管、出氣管、抽氣裝置、片架、旋轉(zhuǎn)電機、固定座、立柱、滾動球，所述氣源室設置在反應箱的一側(cè)，所述反應箱與氣源室之間通過進氣管連接，所述反應箱的底壁上連接一根出氣管，所述出氣管不與反應箱連接的另一端與抽氣裝置連接，所述片架設置在反應箱的內(nèi)部，所述旋轉(zhuǎn)電機固定安裝在反應箱下端面，所述旋轉(zhuǎn)電機輸出軸向上穿過反應箱底壁后末端固接一個固定座，所述片架固接在固定座上端面處，所述固定座下端面上周向均勻地固接有若干立柱，所述立柱豎直設置，且每個立柱的下端均轉(zhuǎn)動安裝一個滾動球，所述反應箱底壁上開有環(huán)形槽，所述滾動球下端置于環(huán)形槽內(nèi)。

所述進氣管不與氣源室連接的另一端固接在反應箱的頂部。

所述抽氣裝置為真空泵或抽風機中的一種。

所述立柱的數(shù)目為3~6個，且所有立柱置于同一個同心圓上，其同心圓的圓心為旋轉(zhuǎn)電機輸出軸與固定座連接接點。

由于采用上述技術方案，本實用新型具有以下有益優(yōu)點：

1、結構新穎；

2、使用壽命長。

附圖說明

圖1是本實用新型一種用于傳感器單晶硅刻蝕中的片架定位裝置的結構示意圖；

圖2是本實用新型中反應箱底壁處的結構示意圖。

其中：1-反應箱；2-氣源室；3-進氣管；4-出氣管；5-抽氣裝置；6-片架；7-旋轉(zhuǎn)電機；8-固定座；9-立柱；10-滾動球；11-反應箱底壁；111-環(huán)形槽。

具體實施方式