[實用新型]一種小功率MOSFET過流保護檢測電路

有效

• 申請號: 201820023754.2
• 申請日: 2018-01-06
• 公開（公告）號: CN207706148U
• 公開（公告）日: 2018-08-07
• 發明（設計）人: 聶天適;劉波;湯小平
• 申請（專利權）人: 清能德創電氣技術（北京）有限公司
• 主分類號: H03K17/081
• 分類號: H03K17/081;H03K17/567;G01R19/165
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

一種新型的小功率MOSFET過流保護檢測電路通過檢測串聯在直流母線上的電阻兩端電壓來判斷MOSFET是否過流，當電阻兩端電壓高于設定值時檢測電路產生過流故障信號，采用元器件體積更小、成本更低，保護電路更容易實現。

技術領域

本實用新型屬于電氣自動化技術領域，涉及一種小功率MOSFET過流保護檢測電路。

背景技術

金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor)，簡稱MOSFET，其優勢在于：首先驅動電路比較簡單，MOSFET需要的驅動電流比較小，而且通常可以直接由CMOS或者集電極開路TTL驅動電路驅動；其次MOSFET的開關速度比較迅速，能夠以較高的速度工作，因為沒有電荷存儲效應；另外MOSFET沒有二次擊穿失效機理，它在溫度越高時往往耐力越強，而且發生熱擊穿的可能性越低，還可以在較寬的溫度范圍內提供較好的性能，MOSFET已經得到了大量應用，在消費電子、工業產品、機電設備、智能手機以及其他便攜式數碼電子產品中隨處可見。但是由于導通電阻Rds的存在，在MOSFET過流的情況下，很容易產生大量的熱量而導致MOSFET因過溫而損壞，因此要有嚴格的過流保護電路，否則會造成嚴重的經濟損失。

MOSFET過流保護電路一般采用專用的元器件來保護，如AVAGO公司的ACPL-335J等專用器件檢測MOSFET 漏極和源極之間電壓Vds，在MOSFET過流時Vds電壓急劇上升，當超過設定值時元器件會關斷MOSFET起到保護作用。

MOSFET過流保護電路一般采用專用的元器件來保護，這種芯片核心技術由國外公司掌握，因此保護電路成本很高，同時體積大，無法滿足低成本小體積產品應用。

實用新型內容

本實用新型的目的是針對現有的技術存在上述問題，提出了一種小功率MOSFET過流保護檢測電路。

一種小功率MOSFET過流保護檢測電路，其特征在于其包括：該電路中串聯有電阻R1，R1的一端連接至P型三極管Q1的發射極，電阻R1的另一端通過電阻R4連接至P型三極管Q1的基極，P型三極管Q1的集電極通過電阻R2連接至比較器U1的負輸入端，比較器U1的正輸入端連接有參考電壓V1，同時，比較器U1的負輸入端通過并聯連接的電阻R3和齊納二極管ZD1接地。

優選地，電阻R1的另一端依次串聯連接有MOSFET和負載。

相對于現有技術，本實用新型提供了一種小功率MOSFET過流保護檢測電路，采用元器件體積更小、成本更低，保護電路更容易實現。

附圖說明：

圖1 為本實用新型的過流保護檢測電路的結構圖；

具體實施方式：

下面結合附圖和具體實施例對本實用新型作進一步說明。

圖1為本實用新型的一種實施例的電路結構圖，圖中繪出了電路連接關系。其中輸入電路中串聯有電阻R1，R1的一端連接至P型三極管Q1的發射極，電阻R1的另一端通過電阻R4連接至P型三極管Q1的基極，P型三極管Q1的集電極通過電阻R2連接至比較器U1的負輸入端，比較器U1的正輸入端連接有參考電壓V1，同時，比較器U1的負輸入端通過并聯連接的電阻R3和齊納二極管ZD1接地，同時，電阻R1的另一端也串聯連接有連接MOSFET和負載。

下面，對上述小功率MOSFET過流保護檢測電路的工作原理進行解釋：當MOSFET導通時流過R1電流為I， VR1=I*R1，V1為設定好的一個大于0V的電壓保護閾值。R4為三極管基極限流電阻。當VR1電壓小于P型三極管Q1發射極（E）與基極（B）導通電壓0.7V時，三極管截止，V2電壓為0，V2<V1,比較器U1輸出為高電平。