[實用新型]功率放大模塊有效
| 申請號： | 201820012232.2 | 申請日： | 2018-01-04 |
| 公開（公告）號： | CN207910737U | 公開（公告）日： | 2018-09-25 |
| 發明（設計）人： | 石原翔太;山本靖久 | 申請（專利權）人： | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號： | H03F1/02 | 分類號： | H03F1/02;H03F1/30;H03F1/56;H03F3/193;H03F3/21 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 趙琳琳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 功率放大模塊 雙極性晶體管 場效應晶體管 功率放大電路 動作電壓 低電壓 控制IC 本實用新型 功率放大 偏置電路 偏置信號 輸出放大 閾值電壓 | ||
1.一種功率放大模塊，具備功率放大電路和控制IC，其中，
所述功率放大電路具備：雙極性晶體管，將RF信號進行功率放大并輸出放大信號；以及二極管連接雙極性晶體管，與所述雙極性晶體管熱耦合，
所述控制IC具備場效應晶體管和二極管連接場效應晶體管，
在所述場效應晶體管中，漏極端子與電池電壓連接，將輸入到所述場效應晶體管的柵極端子的偏置信號從所述場效應晶體管的源極端子通過第一導線供給到所述雙極性晶體管，
所述二極管連接雙極性晶體管的陰極被接地，
所述二極管連接雙極性晶體管的陽極通過第二導線而與所述二極管連接場效應晶體管的陰極連接，
所述二極管連接場效應晶體管的陽極與所述場效應晶體管的柵極端子連接。
2.根據權利要求1所述的功率放大模塊，其中，
所述二極管連接雙極性晶體管的陰極在所述功率放大電路的內部被接地。
3.一種功率放大模塊，具備功率放大電路和控制IC，其中，
所述功率放大電路具備：雙極性晶體管，將RF信號進行功率放大并輸出放大信號；以及二極管連接雙極性晶體管，與所述雙極性晶體管熱耦合，
所述控制IC具備場效應晶體管和二極管連接場效應晶體管，
在所述場效應晶體管中，漏極端子與電池電壓連接，將輸入到所述場效應晶體管的柵極端子的偏置信號從所述場效應晶體管的源極端子通過第一導線供給到所述雙極性晶體管，
所述二極管連接場效應晶體管的陰極被接地，
所述二極管連接場效應晶體管的陽極通過第二導線而與所述二極管連接雙極性晶體管的陰極連接，
所述二極管連接雙極性晶體管的陽極通過第三導線而與所述場效應晶體管的柵極端子連接。
4.根據權利要求1或3所述的功率放大模塊，其中，
所述二極管連接場效應晶體管與所述場效應晶體管熱耦合。
5.根據權利要求1或3所述的功率放大模塊，其中，
所述功率放大電路具備第一二極管來代替所述二極管連接雙極性晶體管，
所述控制IC具備第二二極管來代替所述二極管連接場效應晶體管。
6.根據權利要求3所述的功率放大模塊，其中，
所述二極管連接場效應晶體管的陰極在所述控制IC的內部被接地。
7.根據權利要求5所述的功率放大模塊，其中，
所述第一二極管的陰極在所述功率放大電路的內部被接地。
8.根據權利要求5所述的功率放大模塊，其中，
所述第二二極管的陰極在所述控制IC的內部被接地。
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