[實用新型]一種光接收芯片有效
| 申請號: | 201820007302.5 | 申請日: | 2018-01-03 |
| 公開(公告)號: | CN207995097U | 公開(公告)日: | 2018-10-19 |
| 發明(設計)人: | 曹然;李金宣 | 申請(專利權)人: | 北京中電宏業科技有限公司 |
| 主分類號: | H04B10/69 | 分類號: | H04B10/69 |
| 代理公司: | 北京世譽鑫誠專利代理事務所(普通合伙) 11368 | 代理人: | 郭官厚 |
| 地址: | 100048 北京市海*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 衰減器 輸出放大器 跨阻放大器 驅動放大器 本實用新型 光接收 光電二極管信號 芯片 差分信號傳輸 信號傳輸方式 系統集成度 差分傳輸 工作頻率 輸出電平 系統結構 最大增益 靈敏度 光功率 輸出 外部 保證 | ||
1.一種光接收芯片,包括:跨阻放大器(1)、衰減器(2)、輸出放大器(3),所述跨阻放大器(1)與所述衰減器(2)連接,所述衰減器(2)與所述輸出放大器(3)連接,其特征在于,還包括:驅動放大器(4),所述驅動放大器(4)設置在所述衰減器(2)與所述輸出放大器(3)之間,所述跨阻放大器(1)接收外部的光電二極管信號輸入,然后經所述衰減器(2)、驅動放大器(4)和輸出放大器(3)處理后輸出。
2.根據權利要求1所述的光接收芯片,其特征在于,所述跨阻放大器(1)、衰減器(2)、驅動放大器(4)和輸出放大器(3)的信號傳輸方式為差分傳輸方式。
3.根據權利要求1所述的光接收芯片,其特征在于,所述跨阻放大器(1)的輸入為電流信號,經所述跨阻放大器(1)放大后轉換為電壓信號輸出。
4.根據權利要求1所述的光接收芯片,其特征在于,所述跨阻放大器(1)、衰減器(2)、輸出放大器(3)和驅動放大器(4)為砷化鎵贗晶高電子遷移率器件工藝制成。
5.根據權利要求1所述的光接收芯片,其特征在于,所述衰減器(2)為T形結構或π形結構。
6.根據權利要求1所述的光接收芯片,其特征在于,所述衰減器(2)的控制信號為電壓可變控制信號或數字控制信號。
7.根據權利要求1所述的光接收芯片,其特征在于,所述衰減器(2)包括若干個級聯的信號衰減器。
8.一種基于前述權利要求1-7任一項所述光接收芯片的光接收模塊,其特征在于,包括光接收芯片和巴倫(5),所述光接收芯片的輸出端與所述巴倫(5)連接。
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