[發(fā)明專利]雙向可調(diào)高度的建筑物支座、調(diào)節(jié)裝置及調(diào)節(jié)方法

在審

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• 申請日: 2018-12-29
• 公開（公告）號: CN109518598A
• 公開（公告）日: 2019-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐亮;余樂;李盼到
• 申請（專利權(quán)）人: 徐亮;余樂;李盼到
• 主分類號: E01D19/04
• 分類號: E01D19/04
• 代理公司: 北京鼎承知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11551
• 代理人: 李偉波

1.一種雙向可調(diào)高度的建筑物支座，其包括，

支座本體，其配置成支承建筑物，

低熔點合金層，其層疊于支座本體，所述低熔點合金層可熔融地注入或排出低熔點合金以調(diào)節(jié)支座本體的高度。

2.如權(quán)利要求1所述的雙向可調(diào)高度的建筑物支座，其中，優(yōu)選的，所述低熔點合金層密封地層疊于支座本體，低熔點合金層包括鉍基合金、鋅基合金和/或鉛錫銻銅四元合金及其組合。

3.如權(quán)利要求1所述的雙向可調(diào)高度的建筑物支座，其中，所述建筑物支座還包括，

第一加熱單元，其熔融所述低熔點合金層，

孔，其連通所述低熔點合金層以注入或排出低熔點合金；

所述建筑物支座還包括用于測量低熔點合金層溫度的第一溫度測量單元，所述第一加熱單元包括溫控電熱管、電磁加熱線圈或油浴加熱器；建筑物支座為橋梁支座。

4.如權(quán)利要求1所述的雙向可調(diào)高度的建筑物支座，其中，所述支座本體包括，

上支座板，其支承建筑物，及

下支座板，其支承所述上支座板，其中，

低熔點合金層密封地層疊在所述下支座板和上支座板之間。

5.如權(quán)利要求4所述的雙向可調(diào)高度的建筑物支座，其中，所述下支座板部分包圍地支承所述上支座板以在所述下支座板和上支座板之間形成腔室，所述低熔點合金層層疊于腔室中。

6.如權(quán)利要求4所述的雙向可調(diào)高度的建筑物支座，其中，上支座板和低熔點合金層之間設(shè)有間隔層。

7.一種用于雙向可調(diào)節(jié)高度的建筑物支座的調(diào)節(jié)裝置，其包括注射單元和容納低熔點合金的熔融單元，其中，

經(jīng)由第一連接管連通低熔點合金層的所述注射單元包括，

注射腔體，其包括第一端和第二端，所述第一端連通第一連接管，

活塞，其經(jīng)由第二端可移動地設(shè)在所述注射腔體，以擠壓來自熔融單元的低熔點合金進(jìn)入低熔點合金層或抽吸來自低熔點合金層的低熔點合金。

8.如權(quán)利要求7所述的調(diào)節(jié)裝置，其中，所述熔融單元包括，

熔融本體，其容納低熔點合金，

第二加熱單元，其加熱所述低熔點合金，所述熔融單元經(jīng)由第二連接管連通注射腔體，所述第二連接管設(shè)有截止閥，所述熔融單元包括用于測量低熔點合金的第二溫度測量單元。

9.如權(quán)利要求7所述的調(diào)節(jié)裝置，其中，所述注射腔體設(shè)有用于加熱其中低熔點合金的第三加熱單元，其中，所述注射腔體包括與活塞同心布置的第二腔體，其經(jīng)由腔壁隔開活塞。

10.一種雙向可調(diào)高度的建筑物支座的調(diào)節(jié)方法，其包括以下步驟，

響應(yīng)于調(diào)高建筑物，注入熔化的低熔點合金到層疊于建筑物支座的低熔點合金層以調(diào)高高度，

響應(yīng)于調(diào)低建筑物，熔化所述低熔點合金層，排出來自所述低熔點合金層的低熔點合金以調(diào)低高度，所述低熔點合金層密封地層疊在建筑物支座以支承建筑物，通過控制注入或排出低熔點合金的量以控制調(diào)節(jié)高度。