[發明專利]掩膜板及曝光方法

有效

• 申請號: 201811652807.8
• 申請日: 2018-12-28
• 公開（公告）號: CN111381437B
• 公開（公告）日: 2021-12-31
• 發明（設計）人: 任書銘;章磊;李成立
• 申請（專利權）人: 上海微電子裝備（集團）股份有限公司
• 主分類號: G03F1/76
• 分類號: G03F1/76;G03F7/20
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 王宏婧

1.一種掩膜板，用于對一LED基底進行曝光以形成PSS圖形，其特征在于，所述掩膜板包括基板及形成于所述基板上的掩膜圖形，所述掩膜圖形包括多個相同的呈多邊形的單位圖形，多個所述單位圖形規則拼接以使所述掩膜圖形整體呈齒輪形；

所述單位圖形包括不透光部分及圍繞所述不透光部分的透光部分，所述掩膜圖形外邊緣的不透光部分的中心點順次相連后構成一平行四邊形或正六邊形，以使所述掩膜圖形在一曝光系統的可用像質區內的面積實現最大化。

2.如權利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述不透光部分的中心與所述單位圖形的中心重合，所述不透光部分的邊緣與所述單位圖形的邊緣具有間隙，所述間隙構成所述透光部分。

3.如權利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述LED基底的PSS圖形中具有與所述不透光部分對應的凸出部，所述凸出部的總數量為所述掩膜圖形中不透光部分的總數量的n倍，其中n為曝光次數。

4.如權利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述單位圖形為正六邊形，所述不透光部分為圓形。

5.如權利要求1-4中任一項所述的掩膜板，其特征在于，相鄰所述單位圖形之間的拼接為無縫拼接。

6.一種曝光方法，其特征在于，包括：

提供如權利要求1-5中任一項所述的掩膜板；

將一LED基底的若干曝光區域依次移動至所述掩膜板的掩膜圖形下方進行逐場曝光，直至整個所述LED基底被全部曝光，每個所述曝光區域的曝光圖形規則拼接以在所述LED基底上形成PSS圖形。

7.如權利要求6所述的曝光方法，其特征在于，相鄰所述曝光圖形之間的拼接為無縫拼接。

8.如權利要求6或7所述的曝光方法，其特征在于，所述LED基底為藍寶石基底。