[發(fā)明專利]一種磷光OLED器件及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811650603.0
• 申請(qǐng)日: 2018-12-31
• 公開（公告）號(hào): CN109786570A
• 公開（公告）日: 2019-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫霞
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瑞聲科技（南京）有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 北京匯思誠(chéng)業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11444
• 代理人: 王剛;龔敏

1.一種磷光OLED器件，包括：基板，以及依次設(shè)置在所述基板上的陽(yáng)極層、空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極層；其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光層為非摻雜型，且所述有機(jī)發(fā)光層包括：非摻雜主體層以及嵌設(shè)在所述非摻雜主體層內(nèi)的非摻雜磷光發(fā)光層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷光OLED器件，其特征在于，所述非摻雜主體層為空穴型主體層，所述非摻雜磷光發(fā)光層為一層，且所述非摻雜磷光發(fā)光層與所述空穴傳輸層之間的距離小于所述非摻雜磷光發(fā)光層與所述電子傳輸層之間的距離。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷光OLED器件，其特征在于，所述非摻雜主體層為電子型主體層，所述非摻雜磷光發(fā)光層為一層，且所述非摻雜磷光發(fā)光層與所述電子傳輸層之間的距離小于所述非摻雜磷光發(fā)光層與所述空穴傳輸層之間的距離。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷光OLED器件，其特征在于，所述非摻雜主體層為雙極型主體層，所述非摻雜磷光發(fā)光層為兩層；

其中一層所述非摻雜磷光發(fā)光層與所述空穴傳輸層的距離，與另一層所述磷光發(fā)光層與所述電子傳輸層的距離相等。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的磷光OLED器件，其特征在于，所述非摻雜主體層的三線態(tài)能級(jí)高于所述非摻雜磷光發(fā)光層的三線態(tài)能級(jí)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的磷光OLED器件，其特征在于，所述非摻雜磷光發(fā)光層的厚度范圍為0.1nm～0.5nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的磷光OLED器件，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光層中包括激子復(fù)合區(qū)，所述非摻雜磷光發(fā)光層與所述激子復(fù)合區(qū)之間的距離范圍為3nm～6nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的磷光OLED器件，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光層的厚度范圍為15nm～25nm。

9.一種磷光OLED器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一含有陽(yáng)極層的基板；

在所述基板的陽(yáng)極層上沉積空穴注入層；

在所述空穴注入層上沉積空穴傳輸層；

在所述空穴傳輸層上，沉積一層有機(jī)發(fā)光層，其中，所述有機(jī)發(fā)光層包括：非摻雜主體層以及嵌設(shè)在所述非摻雜主體層內(nèi)的非摻雜磷光發(fā)光層；

在所述有機(jī)發(fā)光層上沉積電子傳輸層；

在所述電子傳輸層上沉積電子注入層；

在所述電子注入層上沉積陰極層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9中所述的磷光OLED器件的制造方法，其特征在于，沉積所述空穴注入層、所述空穴傳輸層、所述有機(jī)發(fā)光層、所述電子傳輸層、所述電子注入層以及所述陰極層的方法包括：真空熱蒸鍍和噴墨打印技術(shù)中的至少一者。