[發(fā)明專利]低溫等離子體設備和分解硫化氫的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811647720.1
• 申請日: 2018-12-29
• 公開（公告）號: CN111377410A
• 公開（公告）日: 2020-07-07
• 發(fā)明（設計）人: 張婧;任君朋;王林;徐偉;石寧;張鐵;朱云峰;孫峰;李亞輝
• 申請（專利權）人: 中國石油化工股份有限公司;中國石油化工股份有限公司青島安全工程研究院
• 主分類號: C01B17/04
• 分類號: C01B17/04;C01B3/04
• 代理公司: 北京潤平知識產(chǎn)權代理有限公司 11283
• 代理人: 陳靜;喬雪微

1.一種低溫等離子體設備，該設備包括：

第一空腔(1)，所述第一空腔(1)上分別設置有第一入口(11)和第一出口；

第二空腔(2)，所述第二空腔(2)嵌套在所述第一空腔(1)的內(nèi)部，且所述第二空腔(2)上分別設置有第二入口(21)和第二出口(22)；

第三空腔(7)，所述第三空腔(7)嵌套在所述第一空腔(1)的外部，且所述第三空腔(7)上分別設置有第三入口(71)和第三出口(72)；

內(nèi)電極(3)，至少部分所述內(nèi)電極(3)伸入所述第一空腔(1)中；

外電極(4)，形成所述第一空腔(1)的至少部分側壁或者環(huán)繞設置在所述第一空腔(1)的外側壁上；以及

阻擋介質(zhì)(6)，形成所述第一空腔(1)的至少部分側壁或者環(huán)繞設置在所述第一空腔(1)的內(nèi)側壁上，且所述阻擋介質(zhì)(6)設置在所述內(nèi)電極(3)和所述外電極(4)之間，使得所述內(nèi)電極(3)和所述外電極(4)之間的放電區(qū)域由所述阻擋介質(zhì)(6)間隔；

所述內(nèi)電極(3)和所述外電極(4)均為固體電極，且兩者的形狀相互配合以形成等徑結構；

所述內(nèi)電極(3)的外側壁和所述外電極(4)的內(nèi)側壁之間的距離為L₁，所述阻擋介質(zhì)(6)的厚度為D₁，L₂＝L₁-D₁，且L₂與D₁之間的比例關系為(0.1～100)：1，優(yōu)選L₂與D₁之間的比例關系為(0.1～30)：1；更優(yōu)選為(0.2～15):1。

2.根據(jù)權利要求1所述的低溫等離子體設備，其中，所述內(nèi)電極(3)形成所述第二空腔(2)的至少部分側壁。

3.根據(jù)權利要求1所述的低溫等離子體設備，其中，所述內(nèi)電極(3)環(huán)繞設置在所述第二空腔(2)的外側壁上。

4.根據(jù)權利要求1所述的低溫等離子體設備，其中，所述內(nèi)電極(3)環(huán)繞設置在所述第二空腔(2)的內(nèi)側壁上。

5.根據(jù)權利要求4所述的低溫等離子體設備，其中，該設備中含有雙阻擋介質(zhì)，且另一阻擋介質(zhì)形成所述第二空腔(2)的至少部分側壁，以及所述D₁為所述阻擋介質(zhì)(6)和所述另一阻擋介質(zhì)的厚度之和。

6.根據(jù)權利要求1-5中任意一項所述的低溫等離子體設備，其中，所述外電極(4)環(huán)繞設置在所述第一空腔(1)的外側壁上，且所述第一空腔(1)由阻擋介質(zhì)(6)形成。

7.根據(jù)權利要求1-5中任意一項所述的低溫等離子體設備，其中，所述外電極(4)環(huán)繞設置在所述第一空腔(1)的外側壁上，且所述阻擋介質(zhì)形成所述第一空腔(1)的至少部分側壁。

8.根據(jù)權利要求1-7中任意一項所述的低溫等離子體設備，其中，所述第一空腔(1)的個數(shù)為1個。

9.根據(jù)權利要求1-8中任意一項所述的低溫等離子體設備，其中，所述第一空腔(1)的個數(shù)為2個以上，且各個所述第一空腔(1)中分別設置有所述內(nèi)電極(3)、所述外電極(4)和所述阻擋介質(zhì)(6)。

10.根據(jù)權利要求9所述的低溫等離子體設備，其中，各個所述內(nèi)電極(3)彼此并聯(lián)連接；

優(yōu)選地，各個所述外電極(4)彼此并聯(lián)連接。

11.根據(jù)權利要求1-10中任意一項所述的低溫等離子體設備，其中，所述阻擋介質(zhì)的材質(zhì)為電絕緣材料；優(yōu)選選自玻璃、石英、陶瓷、搪瓷、聚四氟乙烯和云母中的至少一種；

所述外電極(4)和所述內(nèi)電極(3)各自獨立地選自導電材料；優(yōu)選各自獨立地選自石墨管、石墨粉、金屬棒、金屬箔、金屬網(wǎng)、金屬管、金屬粉和石墨棒中的至少一種。