[發(fā)明專利]一種三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)SiO2

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811647600.1
• 申請日: 2018-12-29
• 公開（公告）號: CN109755521B
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李星星;石珉滈;王志勇;陽逍逍;邵浩明;余夢澤;皮濤;黃越華
• 申請（專利權(quán)）人: 湖南中科星城石墨有限公司
• 主分類號: H01M4/36
• 分類號: H01M4/36;H01M4/485;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00
• 代理公司: 長沙中科啟明知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 43226
• 代理人: 匡治兵

1.一種三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)納米SiO₂/C復合材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：分別稱取高分子聚合物、硅烷化試劑、表面活性劑加入裝有稀鹽酸溶劑的三口燒瓶中，均勻混合，然后加入過氧化二異丙苯，在80-120℃條件下攪拌加熱20-24h，然后靜置、過濾、水洗、真空干燥，得到交聯(lián)硅烷化試劑修飾的高分子聚合物；其中，所述高分子聚合物為聚烯醇類及其衍生物，所述硅烷化試劑為含不飽和碳碳雙鍵的硅烷偶聯(lián)劑；

S2：取步驟S1制備的交聯(lián)硅烷化試劑修飾的高分子聚合物放入炭化爐中，以3-5℃/min升溫速度，升溫到500-1000℃，保溫5-8h，得到具有三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)納米SiO₂/C復合材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)納米SiO₂/C復合材料的制備方法，其特征在于：步驟S1中，所述高分子聚合物、硅烷化試劑、表面活性劑、稀鹽酸、過氧化二異丙苯的質(zhì)量比為（8-12）：5：（5-15）：（80-120）：（0.5-1）。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)納米SiO₂/C復合材料的制備方法，其特征在于：步驟S1中，所述硅烷偶聯(lián)劑為γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷中的一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)納米SiO₂/C復合材料的制備方法，其特征在于：步驟S1中，表面活性劑為離子型表面活性劑或非離子型表面活性劑。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)納米SiO₂/C復合材料的制備方法，其特征在于：步驟S1中，表面活性劑為聚乙烯吡咯烷酮、十二烷基苯磺酸鈉、十六烷基溴化鈉中的一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)納米SiO₂/C復合材料的制備方法，其特征在于：步驟S1中，所述稀鹽酸濃度為0.01-0.5mol/L。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)納米SiO₂/C復合材料的制備方法，其特征在于：步驟S1中，真空干燥條件為50-80℃，真空干燥時間為2-4h。