[發明專利]一種多孔硅碳復合材料及其制備方法有效
| 申請號: | 201811647598.8 | 申請日: | 2018-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN109755520B | 公開(公告)日: | 2021-03-05 |
| 發明(設計)人: | 陳松;李能;李鈺;彭楊城;皮濤;王志勇;邵浩明;余夢澤 | 申請(專利權)人: | 湖南中科星城石墨有限公司 |
| 主分類號: | H01M4/36 | 分類號: | H01M4/36;H01M4/48 |
| 代理公司: | 長沙中科啟明知識產權代理事務所(普通合伙) 43226 | 代理人: | 匡治兵 |
| 地址: | 410600 湖南*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 多孔 復合材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種多孔硅碳復合材料的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
A1、球磨制備SiOx:將硅粉與分散質置于球磨罐中進行球磨,部分反應生成SiOx,取出干燥;其中,所述分散質為去離子水、乙醇溶液、異丙醇溶液中的一種;
A2、球磨制備表面有SiO2結晶的SiO2-SiOx復合顆粒:取步驟A1制備的SiOx與堿溶液置于球磨罐中進行球磨,將球磨后物料與酸溶液中和反應,再用去離子水真空抽濾至中性后干燥,得到SiO2-SiOx復合顆粒;其中,所述堿溶液為NaOH、KOH、Na2CO3中的一種;
A3、CVD法制備C-SiO2-pSi包覆顆粒:將步驟A2制備的SiO2-SiOx復合顆粒置于帶有保護氣氛的真空回轉爐中用碳源進行氣相包覆,包覆過程在保護氣氛中進行,包覆溫度為800~1000℃,氣相包覆后得到C- SiO2-pSi包覆顆粒;
A4、將步驟A3氣相包覆后的C-SiO2-pSi包覆顆粒與0.1~20%的NaOH溶液反應20~360min,然后用去離子水真空抽濾至中性,真空干燥,得到多孔硅碳復合材料。
2.根據權利要求1所述的一種多孔硅碳復合材料的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
A1、球磨制備SiOx:取微米硅粉與分散質置于球磨罐中進行高能球磨,部分反應生成SiOx,取出干燥;
A2、球磨制備表面有SiO2結晶的SiO2-SiOx復合顆粒:取步驟A1制備的SiOx與堿溶液置于球磨罐中進行高能球磨,球磨轉速為500~1000r/min,球磨時間為10~36h,然后將球磨后物料與鹽酸或者醋酸溶液進行中和反應,再用去離子水真空抽濾至中性后干燥,得到SiO2-SiOx復合顆粒;
A3、CVD法制備C-SiO2-pSi包覆顆粒:將步驟A2制備的SiO2-SiOx復合顆粒置于真空回轉爐中進行氣相包覆,所述氣相包覆采用的碳源包括乙烯、乙炔、聚丙烯中的一種或兩種以上的組合,包覆過程在保護氣氛中進行,包覆溫度為800~1000℃,氣相包覆后得到C- SiO2-pSi包覆顆粒;
A4、將步驟A3氣相包覆后的C-SiO2-pSi包覆顆粒與0.1~20%的NaOH溶液反應20~360min,再用去離子水真空抽濾至中性,然后真空干燥12h,得到多孔硅碳復合材料。
3.根據權利要求2所述的一種多孔硅碳復合材料的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
A1、球磨制備SiOx:取微米硅粉與分散質按照1:(0.6-2)質量比置于球磨罐中,球磨轉速為500~1000r/min,高能球磨2~12h,部分反應生成SiOx,取出樣品干燥12h,其中,微米硅粉的顆粒直徑≤5μm;
A2、球磨制備表面有SiO2結晶的SiO2-SiOx復合顆粒:取步驟A1制備的SiOx與堿溶液按照1:(0.02-1)質量比置于球磨罐中球磨,球磨轉速為500~1000r/min,球磨時間為10~36h,然后將球磨后物料與鹽酸或者醋酸溶液中和反應1~6h,再用去離子水真空抽濾至中性后干燥,得到SiO2-SiOx復合顆粒;
A3、CVD法制備C-SiO2-pSi包覆顆粒:將步驟A2制備的SiO2-SiOx復合顆粒置于真空回轉爐中進行氣相包覆,氣相包覆采用的碳源包括乙烯、乙炔、聚丙烯中的一種或兩種以上的組合,包覆過程在保護氣氛中進行,包覆溫度為800~1000℃,包覆時間為1~12h,氣相包覆后得到C- SiO2-pSi包覆顆粒;
A4、將步驟A3氣相包覆后的C-SiO2-pSi包覆顆粒與0.1~20%的NaOH溶液反應20~360min,再用去離子水真空抽濾至中性,然后真空干燥12h,得到多孔硅碳復合材料。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于湖南中科星城石墨有限公司,未經湖南中科星城石墨有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811647598.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





