[發(fā)明專利]一種稀土元素改性的寬溫薄膜儲(chǔ)能電容器及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811647436.4 | 申請(qǐng)日: | 2018-12-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109545548B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-10-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉明;孫梓雄 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 西安交通大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01G4/12 | 分類號(hào): | H01G4/12;H01G4/33;C23C14/06;C23C14/35;C23C14/54;C23C14/58;C30B23/02 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200 | 代理人: | 徐文權(quán) |
| 地址: | 710049 陜*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 稀土元素 改性 薄膜 電容器 及其 制備 方法 | ||
1.一種稀土元素改性的寬溫薄膜儲(chǔ)能電容器,其特征在于,所述稀土元素改性的寬溫薄膜儲(chǔ)能電容器利用磁控濺射方法制備,包括以下步驟:
步驟(1),將BaHf0.17Ti0.83O3陶瓷作為靶材,將靶材和基片安裝到位;
步驟(2),預(yù)處理基片;
步驟(3),預(yù)濺射BaHf0.17Ti0.83O3陶瓷靶材;
步驟(4),濺射BaHf0.17Ti0.83O3陶瓷靶材,使BaHf0.17Ti0.83O3陶瓷靶材在基片上進(jìn)行外延薄膜生長(zhǎng),生成的薄膜厚度為350nm-450nm;
步驟(5),對(duì)步驟(4)生成的薄膜進(jìn)行退火處理,得到稀土元素改性的寬溫薄膜儲(chǔ)能電容器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種稀土元素改性的寬溫薄膜儲(chǔ)能電容器,其特征在于,BaHf0.17Ti0.83O3陶瓷靶材采用BaTiO3粉和HfO2粉制備,制備過(guò)程為:按照BaHf0.17Ti0.83O3的化學(xué)計(jì)量比將BaTiO3粉和HfO2粉混合均勻,再將混合物依次進(jìn)行球磨、預(yù)燒結(jié)、二次球磨、造粒、成型和燒結(jié),得到BaHf0.17Ti0.83O3陶瓷靶材。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種稀土元素改性的寬溫薄膜儲(chǔ)能電容器,其特征在于,制備BaHf0.17Ti0.83O3陶瓷靶材過(guò)程中,球磨與二次球磨的過(guò)程參數(shù)相同,具體為:球石、混合物和酒精的質(zhì)量比為2:1:1,球磨轉(zhuǎn)速為380~420r/min,球磨時(shí)間為5-7h;
預(yù)燒結(jié)溫度為855-945℃,預(yù)燒結(jié)時(shí)間為3-5h;
成型選用壓片機(jī),成型過(guò)程中的壓強(qiáng)為38-42Mpa,保壓時(shí)間為4-6min;
燒結(jié)的燒結(jié)溫度為1000-1100℃、燒結(jié)時(shí)間為3-5h。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種稀土元素改性的寬溫薄膜儲(chǔ)能電容器,其特征在于,基片采用(001)取向生長(zhǎng)的導(dǎo)電單晶SrTiO3基片,安裝基片前,將清潔基片,再將清潔后的基片安裝到位。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種稀土元素改性的寬溫薄膜儲(chǔ)能電容器,其特征在于,步驟(2)的具體步驟為:將磁控濺射系統(tǒng)內(nèi)的氣壓抽至10-5-10-4mbar,通入氧氣和氬氣的混合氣體,至磁控濺射系統(tǒng)內(nèi)的氣壓為380-420mbar,開(kāi)始加熱基片;基片加熱至810-890℃并保溫9-11min;保溫結(jié)束后,再次將磁控濺射系統(tǒng)內(nèi)的氣壓抽至10-5-10-4mbar,然后通入氧氣和氬氣的混合氣體,至磁控濺射系統(tǒng)內(nèi)的氣壓為190-210mbar;所述氧氣和氬氣的混合氣體中氧氣和氬氣體積比為1:1。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種稀土元素改性的寬溫薄膜儲(chǔ)能電容器,其特征在于,所述步驟(3)中,預(yù)濺射的濺射氣氛為混合氣體氣氛,混合氣體由體積比1:1的氧氣和氬氣組成;濺射靶與基片之間的距離為52-58mm;濺射功率為95-105W;濺射時(shí)間為9-11min,氣壓為190-210mbar。
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