[發明專利]一種量子點發光二極管及其制備方法

有效

• 申請號: 201811647285.2
• 申請日: 2018-12-29
• 公開（公告）號: CN111384278B
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 黎瑞鋒;錢磊;曹蔚然;劉文勇
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

本發明公開一種量子點發光二極管及其制備方法，所述制備方法包括步驟：提供溶液，所述溶液包括氧化鋅納米顆粒和羧酸酯；提供陽極基板，將所述溶液沉積在陽極基板上加熱，制備得到電子傳輸層；或者，提供陰極基板，將所述溶液沉積在所述陰極基板上加熱，制備得到電子傳輸層。本發明中，通過溶液法在氧化鋅納米顆粒作為電子傳輸材料制備電子傳輸層的過程中加入羧酸酯，羧酸酯可以以物理吸附的方式存在于制備得到的所述電子傳輸層中，當水氧侵入時，可以緩慢地吸收水氧，并與水氣反應，減緩水氧對于量子點發光層以及空穴傳輸層的侵蝕，有效地提升器件的工作壽命。

技術領域

本發明涉及量子點發光器件領域，尤其涉及一種量子點發光二極管及其制備方法。

背景技術

半導體量子點（Quantum dots）具備發光波長可調（僅通過調整納米半導體尺寸即可覆蓋從可見光到近紅外的波長范圍）、亮度高（量子產率超過90%）、色彩純正（發光峰半高寬小于30nm）等優良特點，通過制備p-i-n結構的器件，可以獲得高外量子效率和低驅動電壓的量子點發光二極管（Quantum-dot Light Emitting Diode，QLED），當前QLED的色域值已經超越傳統的LCD和有機發光二極管，是未來顯示行業重要的發展技術。

不同于當前主流的通過蒸鍍方式獲得的有機發光二極管，QLED可通過旋涂、印刷、涂布、噴墨打印等溶液方法制備，大大降低了制備工藝的復雜程度和制備成本，有利于將來大規模工業化推廣。經過了將近25年的發展，量子點的外量子效率已經由0.01%提升至超過25%，量子點發光二極管(QLED)已經相當接近或超越了有機發光二極管的器件效率。

然而，盡管量子點器件擁有上述的優勢，目前QLED的工作壽命仍未滿足工業化的要求。在QLED器件工作過程中，往往無法完全避免水氧的侵入，水氧對量子點發光層以及空穴傳輸層侵蝕，從而降低器件的工作壽命。因此，現有技術還有待于改進和發展。

發明內容

鑒于上述現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種量子點發光二極管及其制備方法，旨在解決量子點發光二極管工作過程中，無法完全避免水氧的侵入，導致降低器件工作壽命的問題。

本發明的技術方案如下：

一種量子點發光二極管的制備方法，其中，包括步驟：

提供溶液，所述溶液包括氧化鋅納米顆粒和羧酸酯；

提供陽極基板，將所述溶液沉積在所述陽極基板上加熱，制備得到電子傳輸層；

或者，

提供陰極基板，將所述溶液沉積在所述陰極基板上加熱，制備得到電子傳輸層。

一種量子點發光二極管，包括：陽極、陰極、設置在所述陽極和陰極之間的量子點發光層、設置在所述陰極和量子點發光層之間的電子傳輸層，其中，所述電子傳輸層材料包括氧化鋅納米顆粒和分散在氧化鋅納米顆粒之間的羧酸酯。

有益效果：本發明中，通過溶液法在氧化鋅納米顆粒作為電子傳輸材料制備電子傳輸層的過程中加入羧酸酯，羧酸酯分散在制備得到的所述電子傳輸層中，當水氧侵入時，可以緩慢地吸收水氧，并與水氣反應，減緩水氧對于量子點發光層以及空穴傳輸層的侵蝕，有效地提升器件的工作壽命。

附圖說明

圖1為本發明實施例提供的一種量子點發光二極管的制備方法的流程示意圖。

圖2為本發明另一實施例提供的一種量子點發光二極管的制備方法的流程示意圖。

圖3為本發明一些具體的實施方式中提供的一種量子點發光二極管的制備方法的流程示意圖。

圖4為本發明另一些具體的實施方式中提供的一種量子點發光二極管的制備方法的流程示意圖。

圖5為本發明實施例中提供的一種量子點發光二極管的結構示意圖。