[發明專利]一種量子點固態膜及其制備方法

在審

• 申請號: 201811645837.6
• 申請日: 2018-12-29
• 公開（公告）號: CN111378434A
• 公開（公告）日: 2020-07-07
• 發明（設計）人: 程陸玲;楊一行
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: C09K11/02
• 分類號: C09K11/02;C09K11/88
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種量子點固態膜，其特征在于，所述量子點固態膜包括表面結合有硫羧酸的第一量子點和表面結合有巰基胺的第二量子點，所述第一量子點表面的硫羧酸和第二量子點表面的巰基胺通過所述硫羧酸中的羧酸根離子與巰基胺中的銨根離子結合。

2.根據權利要求1所述的量子點固態膜，其特征在于，所述硫羧酸的化學結構通式為HS-(CH₂)_n-COOH，其中n為大于等于1且小于等于11的整數。

3.根據權利要求1所述的量子點固態膜，其特征在于，所述巰基胺的化學結構通式為HS-(CH₂)_m-NH₂，其中m為大于等于1且小于等于11的整數。

4.根據權利要求1所述的量子點固態膜，其特征在于，所述第一量子點和第二量子點獨立的選自二元相量子點、三元相量子點和四元相量子點中的一種或多種。

5.根據權利要求1所述的量子點固態膜，其特征在于，所述第一量子點和第二量子點為組成元素相同的量子點；和/或，所述第一量子點選自CdS、CdSe、CdTe、InP、AgS、PbS、PbSe、HgS、 ZnCdS、CuInS、ZnCdSe、ZnSeS、ZnCdTe、PbSeS、 ZnCdS/ZnSe、CuInS/ZnS、ZnCdSe/ZnS、CuInSeS、ZnCdTe/ZnS和 PbSeS/ZnS中的一種或多種；和/或，所述第二量子點選自CdS、CdSe、CdTe、InP、AgS、PbS、PbSe、HgS、 ZnCdS、CuInS、ZnCdSe、ZnSeS、ZnCdTe、PbSeS、 ZnCdS/ZnSe、CuInS/ZnS、ZnCdSe/ZnS、CuInSeS、ZnCdTe/ZnS和 PbSeS/ZnS中的一種或多種。

6.一種量子點固態膜的制備方法，其特征在于，包括步驟：

提供表面結合有硫羧酸的第一量子點和表面結合有巰基胺的第二量子點；

將所述第一量子點和第二量子點分散在極性溶劑中，形成混合量子點溶液；

將所述混合量子點溶液沉積在基板上，在第一溫度條件下加熱制得所述量子點固態膜。

7.根據權利要求6所述量子點固態膜的制備方法，其特征在于，在第一溫度條件下加熱，使所述第一量子點表面的硫羧酸和第二量子點表面的巰基胺通過所述硫羧酸中的羧酸根離子和巰基胺中的銨根離子結合，制得所述量子點固態膜。

8.根據權利要求6所述量子點固態膜的制備方法，其特征在于，所述第一溫度為30-100℃。

9.根據權利要求6所述量子點固態膜的制備方法，其特征在于，所述極性溶劑選自乙醇、甲醇和水中的一種或多種。

10.根據權利要求6所述量子點固態膜的制備方法，其特征在于，按照第一量子點與第二量子點的質量比為1：（0.8-1.2）的比例將所述第一量子點和第二量子點分散在極性溶劑中，形成混合量子點溶液。