[發(fā)明專利]一種阻變存儲(chǔ)器及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811645090.4
• 申請(qǐng)日: 2018-12-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109728163B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高建峰;項(xiàng)金娟;劉衛(wèi)兵;李俊峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): H10N70/00
• 分類號(hào): H10N70/00;H10B63/10
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種阻變存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基底，所述基底上形成有金屬栓塞作為下電極，所述金屬栓塞包括第一互連金屬栓塞和第二互連金屬栓塞；

在所述下電極上依次形成阻變功能層和上電極層，對(duì)所述第一互連金屬栓塞上的阻變功能層和上電極層進(jìn)行刻蝕，以暴露所述第一互連金屬栓塞，在所述上電極層上和暴露出的所述第一互連金屬栓塞上形成互連金屬層；

根據(jù)所述第二互連金屬栓塞的位置，一次性對(duì)所述互連金屬層、所述上電極層、所述阻變功能層進(jìn)行刻蝕，以使所述互連金屬層、所述上電極層、所述阻變功能層和所述第二互連金屬栓塞對(duì)準(zhǔn)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻變功能層包括：HfO₂、Al₂O₃、TaO_x、TiO_x中的至少一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬栓塞為鎢塞。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述上電極層為氮化鈦層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述互連金屬層為鋁層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述基底上設(shè)置有MOS管，所述MOS?管包括源/漏極，所述金屬栓塞通過(guò)以下方式形成：

在MOS器件源/漏極上方形成栓孔；

向所述栓孔內(nèi)填充第一電極材料，形成金屬栓塞作為第一電極。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述向所述栓孔內(nèi)填充第一電極材料，形成金屬栓塞作為第一電極，包括：

向所述栓孔內(nèi)填充第一電極材料，并對(duì)所述第一電極材料進(jìn)行平坦化，形成金屬栓塞作為第一電極。

8.一種阻變存儲(chǔ)器，其特征在于，包括：

形成于基底上的金屬栓塞作為下電極，所述金屬栓塞包括第一互連金屬栓塞和第二互連金屬栓塞；

依次形成于所述下電極上的阻變功能層、上電極層和互連金屬層，所述上電極層和所述第一互連金屬栓塞上形成有互連金屬層；所述阻變功能層、所述上電極層和所述互連金屬層根據(jù)所述第二互連金屬栓塞的位置被一次性刻蝕，且與所述第二互連金屬栓塞對(duì)準(zhǔn)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的阻變存儲(chǔ)器，其特征在于，所述阻變功能層包括：為HfO₂、Al₂O₃、TaO_x、TiO_x中的至少一種。