[發明專利]一種適用于電真空器件的在襯底上形成氧化鉻膜的方法有效
| 申請號： | 201811644666.5 | 申請日： | 2018-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN109536890B | 公開（公告）日： | 2021-04-02 |
| 發明（設計）人： | 儲開榮;劉曉芳;盛興;李冬鳳 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第十二研究所 |
| 主分類號： | C23C14/14 | 分類號： | C23C14/14;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京正理專利代理有限公司 11257 | 代理人： | 趙曉丹 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 適用于 真空 器件 襯底 形成 氧化鉻 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種適用于電真空器件的在襯底上形成氧化鉻膜的方法，其特征在于，包括如下步驟：
在襯底上形成鉻膜，其中，在襯底上形成鉻膜的方法選自磁控濺射、多弧離子鍍或蒸發中的一種或幾種；所述襯底的材質為陶瓷或金屬；所述金屬選自無氧銅、無磁不銹鋼、可伐、純鐵、鎳銅、鉬銅中的一種；
在濕氫氛圍中，將形成有鉻膜的該襯底于900～1300℃溫度下保溫至鉻膜完全氧化成氧化鉻膜，其中，所述濕氫氛圍中，露點為-30℃～-10℃。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述陶瓷選自氧化鋁陶瓷、氧化鈹陶瓷、氮化鋁陶瓷、氮化硼陶瓷中的一種。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述鉻膜的厚度為0.25～75nm。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述鉻膜的厚度為1-60nm。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述保溫的溫度低于襯底熔點的0.9倍。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述保溫的時間為0.5～8小時。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯底為電真空器件中承受直流高壓或微波功率的零部件。
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述電真空器件中承受直流高壓或微波功率的零部件選自電子槍瓷環、陶瓷輸能窗、高頻零件或輸能零件。
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