[發明專利]用于NVDIMM的數據備份和恢復方法、NVDIMM控制器以及NVDIMM

在審

• 申請號: 201811643227.2
• 申請日: 2018-12-29
• 公開（公告）號: CN109582508A
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發明（設計）人: 周小鋒;江喜平
• 申請（專利權）人: 西安紫光國芯半導體有限公司
• 主分類號: G06F11/14
• 分類號: G06F11/14
• 代理公司: 北京北翔知識產權代理有限公司 11285
• 代理人: 陳璐;鄭建暉

1.一種用于NVDIMM的數據備份方法，所述NVDIMM包括DRAM、NAND閃存和NVDIMM控制器，所述NVDIMM由NVDIMM控制器所控制，所述NVDIMM控制器包括DDR控制器、NAND閃存控制器和數據備份模塊，其中所述DDR控制器采用并使能DBI，所述數據備份方法包括：

所述DDR控制器從所述DRAM讀取N位DQ和1位DBI，并將所述N位DQ和1位DBI發送至所述數據備份模塊；

根據所述N位DQ和1位DBI的值，所述數據備份模塊將所述N位DQ和1位DBI編碼成N位EDQ，并將所述N位EDQ發送至所述NAND閃存控制器；

所述NAND閃存控制器接收所述N位EDQ，并將所述N位EDQ寫入所述NAND閃存。

2.根據權利要求1所述的數據備份方法，其中，當所述N位DQ中含有N/2個“1”時，將所述N位DQ編碼成與之相同的N位EDQ；當所述N位DQ中的“1”的數目不是N/2個時，將所述N位DQ索引映射到N位EDQ中的N-1位以及將1位DBI寫入N位EDQ中的剩余1位，并且N位EDQ中的“1”的位數不為N/2。

3.根據權利要求1或2所述的數據備份方法，其中，所述DRAM是DDR4。

4.根據權利要求3所述的數據備份方法，其中，所述DRAM是DDR4×8或DDR4×16。

5.根據權利要求4所述的數據備份方法，其中，當所述DRAM是DDR4×8時，所述N位DQ為8位DQ，當8位DQ中含有4個“1”時，將所述8位DQ編碼成與之相同的8位EDQ；當8位DQ中含有5-8個“1”時，將8位DQ索引映射到8位EDQ中的7位以及將1位DBI寫入8位EDQ中的剩余1位，并且8位EDQ中的“1”的位數不為4。

6.一種用于NVDIMM的數據恢復方法，所述NVDIMM包括DRAM、NAND閃存和NVDIMM控制器，所述NVDIMM由NVDIMM控制器所控制，所述NVDIMM控制器包括DDR控制器、NAND閃存控制器和數據恢復模塊，其中所述DDR控制器采用并使能DBI，所述數據恢復方法包括：

所述NAND閃存控制器從所述NAND閃存讀取N位EDQ數據，并將所述N位EDQ數據發送至所述數據恢復模塊；

所述數據恢復模塊接收所述N位EDQ數據，將所述N位EDQ數據解碼成N位DQ和1位DBI,并將所述N位DQ和1位DBI發送至所述DDR控制器；

所述DDR控制器根據所述1位DBI的值拉低或拉高所述DDR控制器的接口的DBI，并將所述N位DQ發送至所述DRAM。

7.根據權利要求6所述的數據恢復方法，其中，當所述N位EDQ中含有N/2個“1”時，所述N位DQ與所述N位EDQ相同；當所述N位EDQ中的“1”的數目不是N/2個時，則將所述N位EDQ逆映射為N位DQ和1位DBI。

8.根據權利要求6或7所述的數據恢復方法，其中，所述DRAM是DDR4。

9.根據權利要求8所述的數據恢復方法，其中，所述DRAM是DDR4×8或DDR4×16。

10.根據權利要求9所述的數據恢復方法，其中，當所述DRAM是DDR4×8時，所述EDQ為8位EDQ，當8位EDQ中含有4個“1”時，所述DQ與所述EDQ相同；當8位EDQ中含有非4個“1”時，將所述8位EDQ逆映射為8位DQ和1位DBI。