[發(fā)明專利]一種薄膜及其制備方法和發(fā)光二極管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811643195.6 | 申請日： | 2018-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN111384275B | 公開（公告）日： | 2021-08-10 |
| 發(fā)明（設計）人： | 蘇亮;謝相偉 | 申請（專利權(quán)）人： | TCL科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/50 | 分類號： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;劉文求 |
| 地址： | 516006 廣東省惠州市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 薄膜 及其 制備 方法 發(fā)光二極管 | ||
1.一種薄膜的制備方法，其特征在于，包括步驟：
提供PEDOT:PSS溶液，將含羥基的有機物與所述PEDOT:PSS溶液混合，使有機物中的羥基脫出質(zhì)子并對所述PEDOT:PSS進行質(zhì)子化摻雜，形成質(zhì)子化摻雜的PEDOT:PSS溶液，將所述質(zhì)子化摻雜的PEDOT:PSS制備成膜，形成質(zhì)子化摻雜的PEDOT:PSS薄膜，其中，所述有機物的偶極矩小于3德拜；
或者，提供PEDOT:PSS薄膜，將含羥基的有機物沉積在所述PEDOT:PSS薄膜表面，使有機物中的羥基脫出質(zhì)子并對PEDOT:PSS進行質(zhì)子化摻雜，形成質(zhì)子化摻雜的PEDOT:PSS薄膜，其中，所述有機物的偶極矩小于3德拜；所述將含羥基的有機物沉積在所述PEDOT:PSS薄膜表面的步驟包括：先將含羥基的有機物溶于甲苯中，形成含羥基有機物的甲苯溶液，然后將所述甲苯溶液沉積在所述PEDOT:PSS薄膜表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜的制備方法，其特征在于，所述含羥基的有機物為酚類。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜的制備方法，其特征在于，所述含羥基的有機物為苯酚、對苯二酚、鄰苯二酚、間苯二酚和連苯三酚中的一種或多種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜的制備方法，其特征在于，所述含羥基的有機物為對苯二酚。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜的制備方法，其特征在于，所述將含羥基的有機物與所述PEDOT:PSS溶液混合的步驟包括：將含羥基的有機物溶于醚中并形成含羥基有機物的醚溶液，將所述醚溶液與PEDOT:PSS溶液混合。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜的制備方法，其特征在于，所述醚溶液中，所述含羥基有機物的濃度為10wt％～100wt％。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜的制備方法，其特征在于，所述甲苯溶液中，所述含羥基有機物的濃度為0.2wt％～5wt％。
8.一種薄膜，其特征在于，由如權(quán)利要求1～7任一所述的方法制備而成。
9.一種發(fā)光二極管，其特征在于，包括權(quán)利要求8所述的薄膜。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的，如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
