[發明專利]新型光纖

在審

• 申請號: 201811643068.6
• 申請日: 2018-12-29
• 公開（公告）號: CN111381312A
• 公開（公告）日: 2020-07-07
• 發明（設計）人: 曹珊珊;蔣新力;劉志忠;沈一春;王震;蘇海燕;徐海濤;薛馳
• 申請（專利權）人: 中天科技光纖有限公司;江蘇中天科技股份有限公司;中天科技精密材料有限公司;江東科技有限公司
• 主分類號: G02B6/02
• 分類號: G02B6/02;G02B6/036
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 孫芬

1.一種新型光纖，其特征在于：由內到外依次包括同軸設置的單模纖芯、多模層及外包層，所述單模纖芯位于光纖中心，且具有上階躍折射率，所述多模層包圍于所述單模纖芯外，且具有α輪廓分布的折射率；所述多模層內側和/或所述多模層外側設有若干過渡層，所述過渡層與所述單模纖芯或所述外包層同軸設置，且所述過渡層緊貼所述多模層，其折射率與所述多模層接觸部分的折射率相等。

2.根據權利要求1所述的新型光纖，其特征在于：當所述過渡層介于所述單模纖芯和所述多模層之間為第一過渡層，與純二氧化硅相比，所述第一過渡層的相對折射率δ₀為0.5％至2.0％之間，所述第一過渡層的單側寬度W₀為1μm至4μm之間；當所述過渡層介于所述多模層和所述外包層之間為第二過渡層，與純二氧化硅相比，所述第二過渡層的相對折射率δ₅為-0.4％至0.15％之間，所述第二過渡層的單側寬度W₅為1μm至7μm之間。

3.根據權利要求2所述的新型光纖，其特征在于：所述單模纖芯為摻鍺的二氧化硅玻璃，其半徑r₁為3μm至5μm之間，相對折射率δ₁高于所述第一過渡層的相對折射率δ₀，δ₁-δ₀＝0.25％～0.4％。

4.根據權利要求2所述的新型光纖，其特征在于：所述多模層的相對折射率δ₂介于所述第一過渡層的相對折射率δ₀和所述第二過渡層的相對折射率δ₅之間，呈α輪廓分布，所述多模層的半徑r₂為15μm至35μm之間，α為1.8至2.5之間。

5.根據權利要求2所述的新型光纖，其特征在于：所述新型光纖的半徑r₃為62μm至63μm之間。

6.根據權利要求3-5中任一項所述的新型光纖，其特征在于：所述單模纖芯與所述多模層之間包括下階躍折射率的下摻層，所述下摻層的相對折射率δ₄低于所述第一過渡層的相對折射率δ₀，所述下摻層的單側寬度W₄為0.5μm至5μm之間，且δ₄-δ₀＝-0.05％～-0.35％。

7.根據權利要求6所述的新型光纖，其特征在于：所述下摻層包括同軸設置的多層結構，其中具有較低階躍折射率的為主下摻層，其他為輔下摻層。

8.根據權利要求6所述的新型光纖，其特征在于：所述下摻層包括主下摻層和一輔下摻層，其中

所述主下摻層的單層寬度為W₀₄為1μm至4μm之間，且δ₀₄-δ₀＝-0.1％～-0.35％；

所述輔下摻層的單層寬度為W₁₄為0.5μm至4μm之間，且δ₁₄-δ₀＝-0.05％～-0.2％。

9.根據權利要求3-5中任一項所述的新型光纖，其特征在于：所述多模層與所述外包層之間包括下階躍折射率的凹陷層，所述凹陷層的相對折射率δ₆低于所述第二過渡層的相對折射率δ₅，所述凹陷層的單側寬度W₆為2μm至45μm之間，相對折射率δ₆為-0.05％至-0.4％之間，所述外包層為純二氧化硅玻璃。

10.根據權利要求9所述的新型光纖，其特征在于：所述凹陷層包括同軸設置的多層結構，其中具有較低階躍折射率的為主凹陷層，其他為輔凹陷層。

11.根據權利要求9所述的新型光纖，其特征在于：所述凹陷層包括主凹陷層和一輔凹陷層，其中

所述主凹陷層的單層寬度為W₀₆為2μm至6μm之間，且相對折射率δ₀₆為-0.2％至-0.4％之間；

所述輔凹陷層的單層寬度為W₁₆為2μm至45μm之間，且相對折射率δ₁₆為-0.05％至-0.2％之間。