[發(fā)明專利]量子點發(fā)光二極管及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811641207.1
• 申請日: 2018-12-29
• 公開（公告）號: CN111384272B
• 公開（公告）日: 2021-07-02
• 發(fā)明（設計）人: 梁柱榮;曹蔚然;錢磊
• 申請（專利權(quán)）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳中一聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414
• 代理人: 方良

本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種量子點發(fā)光二極管及其制備方法。所述量子點發(fā)光二極管包括底電極、頂電極以及位于所述底電極和所述頂電極之間的若干功能層，所述若干功能層中至少包括量子點發(fā)光層，其特征在于，在底電極相鄰的功能層與所述底電極之間、在頂電極相鄰的功能層與所述頂電極之間和/或在相鄰的兩個功能層之間設置有聚合物層，所述聚合物層的材料為含有親水基團和疏水基團的聚合物。該聚合物層起到主動吸水、避免水分對器件內(nèi)部的材料和界面造成影響的作用，從而提了器件的性能穩(wěn)定性和器件的使用壽命。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種量子點發(fā)光二極管及其制備方法。

背景技術(shù)

半導體量子點(Quantum dot,QDs)具有熒光量子效率、可見光波段發(fā)光可調(diào)、色域覆蓋度寬廣等特殊特點。以量子點為發(fā)光材料的發(fā)光二極管被稱為量子點發(fā)光二極管(Quantum dot light-emitting diode,QLED)，具有色彩飽和、能效更、色溫更佳等優(yōu)點，有望成為下一代固態(tài)照明和平板顯示的主流技術(shù)。

對于QLED而言，器件發(fā)光效率等性能已達到產(chǎn)業(yè)化的水平，但是器件壽命和穩(wěn)定性問題一直是制約這些新型顯示器件大規(guī)模市場化的瓶頸。其中，大氣中的水氧是影響器件壽命和穩(wěn)定性的主要因素之一。一般而言，器件在剛制備時器件能夠獲得較好的器件性能，但是當器件沒有封裝好或者長期使用和放置后，隨著時間的延長，空氣中的水氧會逐步滲透到器件內(nèi)部，與器件的材料發(fā)生反應，對器件造成了不可逆的嚴重影響，最終表現(xiàn)出來的是器件壽命低、性能衰減嚴重、使用穩(wěn)定性差等問題，大大地制約著這些新型顯示器件的商業(yè)化應用。此外，這些新型顯示器件內(nèi)部，所使用的功能層材料和發(fā)光材料大多都對水氧敏感，且容易與水等成分發(fā)生反應，例如PEDOT:PSS、發(fā)光量子點、氧化物載流子傳輸層材料等，這些敏感的材料會加劇水氧對器件的侵蝕，造成器件壽命的急劇下降。為了解決這些問題，有研究在器件內(nèi)的界面沉積一層疏水的有機聚合物材料作為界面修飾的疏水層(如聚苯乙烯層等)，雖然疏水層具有阻隔水分的能力，但也是由于其具有強的疏水能力，潤濕性較差，在器件制備過程中在其上不能很好地成膜，容易出現(xiàn)器件內(nèi)部成膜不均勻、存在大量針孔或空洞等不利因素，這些將成為水氧侵蝕的主要不利區(qū)域，嚴重影響器件性能。此外，疏水層的引入，只是利用了其一定程度的疏水能力，當且僅當覆蓋有疏水層的區(qū)域能夠起到阻隔水分的作用，而實際上器件是有多層膜聚成的復雜結(jié)構(gòu)，器件暴露的截面等區(qū)域同樣容易受到水分的影響。

因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待進一步的研究和發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的上述不足，提供一種量子點發(fā)光二極管及其制備方法，旨在解決現(xiàn)有器件容易受空氣的水氧侵蝕，從而降低使用壽命的技術(shù)問題。

為實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：

本發(fā)明一方面提供一種量子點發(fā)光二極管，包括底電極、頂電極以及位于所述底電極和所述頂電極之間的若干功能層，所述若干功能層中至少包括量子點發(fā)光層，在底電極相鄰的功能層與所述底電極之間、在頂電極相鄰的功能層與所述頂電極之間和/或在相鄰的兩個功能層之間設置有聚合物層，所述聚合物層的材料為含有親水基團和疏水基團的聚合物。

以及，一種量子點發(fā)光二極管，包括底電極、頂電極和位于所述底電極和所述頂電極之間的量子點發(fā)光層；所述頂電極背離所述發(fā)光層的表面設置有聚合物層，所述聚合物層背離所述發(fā)光層的表面用于設置封裝層，其中，所述聚合物層的材料為含有親水基團和疏水基團的聚合物。

以及，一種量子點發(fā)光二極管，包括底電極、頂電極和位于所述底電極和所述頂電極之間的量子點發(fā)光層；所述底電極背離所述發(fā)光層的表面置有聚合物層，所述聚合物層背離所述發(fā)光層的表面用于將所述量子點發(fā)光二極管設置在襯底上，其中，所述聚合物層的材料為含有親水基團和疏水基團的聚合物。