[發明專利]對VGF法生產的InP晶錠進行籽晶、引晶及結晶情況判定的方法有效
| 申請號： | 201811640598.5 | 申請日： | 2018-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN109629002B | 公開（公告）日： | 2021-03-16 |
| 發明（設計）人： | 趙有文;段滿龍 | 申請（專利權）人： | 珠海鼎泰芯源晶體有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/40 | 分類號： | C30B29/40;C30B11/00 |
| 代理公司： | 廣東朗乾律師事務所 44291 | 代理人： | 閆有幸;楊煥軍 |
| 地址： | 519000 廣東省珠海市香洲*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | vgf 生產 inp 進行 籽晶 結晶 情況 判定 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種對VGF法生產的InP晶錠進行籽晶、引晶及結晶情況判定的方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)晶體生長完成后，從VGF爐內取出包含石英管、氮化硼坩堝及晶錠在內的組件；
(2)對所述石英管加熱到300-400度，使得氮化硼坩堝及籽晶端沉積的紅磷升華沉積到石英管的端部，直至所述氮化硼坩堝和籽晶端部分的石英管的透明度達到設定的透明度；
(3)采用超聲波探測儀對所述氮化硼坩堝內的晶錠從籽晶端到尾部進行掃描，獲得籽晶和晶體表面的圖像；
(4)根據獲得的籽晶和晶體表面的圖像，判斷晶體表面結晶情況及籽晶引晶情況是否達到設定標準，是則進行開管和脫堝處理；否則將所述組件送回VGF爐重新進行生長工藝。
2.根據權利要求1所述的對VGF法生產的InP晶錠進行籽晶、引晶及結晶情況判定的方法，其特征在于，步驟(2)中對所述石英管加熱，具體為：用加熱爐對所述石英管加熱到300-400度。
3.根據權利要求1或2所述的對VGF法生產的InP晶錠進行籽晶、引晶及結晶情況判定的方法，其特征在于，步驟(4)中判斷晶體表面結晶情況及籽晶引晶情況是指，判斷籽晶或晶體表面是否有雙晶線及表面瑕疵，是則未達到所述設定標準，否則達到所述設定標準。
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