[發(fā)明專(zhuān)利]一種三維堆疊封裝方法及結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811640475.1
• 申請(qǐng)日: 2018-12-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109786271A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡文華;陳峰;孫鵬;徐健
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/56
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/56;H01L23/31;H01L25/18;H01L23/488;H01L23/482;H01L21/60
• 代理公司: 北京三聚陽(yáng)光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250
• 代理人: 李博洋

1.一種三維堆疊封裝方法，其特征在于，包括：

在第一載板的第一表面貼附導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和第一芯片，且所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的第一表面朝向所述第一載板；其中，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)具有貫通第一表面和第二表面的至少一根導(dǎo)電金屬線，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的第一表面依次設(shè)置有第一金屬線路層和第一介質(zhì)層，所述第一金屬線路層中金屬線路的至少部分與導(dǎo)電金屬線電連接，所述第一介質(zhì)層露出所述第一金屬線路層中金屬線路的至少部分；

在所述第一載板的第一表面形成第一模封層，所述第一模封層包覆所述第一芯片，且包覆所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，并露出所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)第二表面上的導(dǎo)電金屬線端部；

在所述第一模封層表面形成第二金屬線路層，所述第二金屬線路層中金屬線路的至少部分與露出的導(dǎo)電金屬線端部電連接；

在所述第二金屬線路層表面貼附第二芯片，所述第二芯片的凸點(diǎn)朝向所述第一芯片，并與所述第二金屬線路層中金屬線路的至少部分電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維堆疊封裝方法，其特征在于，所述第一芯片的焊點(diǎn)朝向所述第一載板；所述方法還包括：

拆除所述第一載板；

在原先貼附所述第一載板的表面設(shè)置第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層露出所述第一芯片的焊點(diǎn)和所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)第一表面上金屬線路的至少部分；

在所述第二介質(zhì)層表面形成第三金屬線路層，所述第三金屬線路層中金屬線路的至少部分與所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)第一表面所露出的金屬線路的至少部分電連接；

在所述第三金屬線路層表面形成第三介質(zhì)層，所述第三介質(zhì)層露出所述第三金屬線路中金屬線路的至少部分；

在第三介質(zhì)層上露出金屬線路的位置植球。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維堆疊封裝方法，其特征在于，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的制作步驟包括：

將無(wú)機(jī)材質(zhì)的基板臨時(shí)鍵合在第二載板上；

在所述基板上至少一個(gè)預(yù)定位置打孔并在孔內(nèi)填充導(dǎo)電金屬，形成導(dǎo)電金屬線；

在所述基板表面形成第一金屬線路層，所述第一金屬線路層中金屬線路的至少部分與導(dǎo)電金屬線電連接；

在所述第一金屬線路層表面形成第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層露出所述第一金屬線路層中金屬線路的至少部分；

拆除第二載板；

根據(jù)需要切割，得到導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維堆疊封裝方法，其特征在于，所述在所述第一金屬線路層表面貼附第二芯片的步驟時(shí)，所述第二芯片的至少部分凸點(diǎn)與所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中導(dǎo)電金屬線的位置對(duì)應(yīng)。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的三維堆疊封裝方法，其特征在于，所述在所述第三金屬線路層表面形成第三介質(zhì)層，所述第三介質(zhì)層露出所述第三金屬線路中金屬線路的部分的步驟時(shí)，露出金屬線路的位置中至少部分與所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中導(dǎo)電金屬線的位置對(duì)應(yīng)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維堆疊封裝方法，其特征在于，所述在所述第二金屬線路層表面貼附第二芯片的步驟包括：

在所述第二金屬線路層表面形成第四介質(zhì)層，所述第四介質(zhì)層露出所述第二金屬線路層中金屬線路的部分；

將第二芯片的凸點(diǎn)設(shè)置在第一四介質(zhì)層上露出金屬線路的位置。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維堆疊封裝方法，其特征在于，所述在所述第二金屬線路層表面貼附第二芯片的步驟包括：

將第二芯片的凸點(diǎn)對(duì)應(yīng)設(shè)置在露出金屬線路的位置；

在所述第二芯片與所述第二金屬線路層之間填膠。