[發明專利]一種芯片的封裝結構及用于芯片封裝的轉接結構在審
| 申請號： | 201811639912.8 | 申請日： | 2018-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN109712945A | 公開（公告）日： | 2019-05-03 |
| 發明（設計）人： | 張婧宇;王啟東 | 申請（專利權）人： | 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L23/48;H01L23/488 |
| 代理公司： | 上海智晟知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 張東梅 |
| 地址： | 214028 江蘇省無錫市新區*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 組焊 導電結構 載板 轉接結構 電連接 芯片 焊料 垂直連通 封裝結構 連通結構 基板 電路 背面固定 導電通孔 第一表面 封裝芯片 芯片封裝 | ||
1.一種芯片的封裝結構，包括：
底部載板，所述底部載板的第一表面上具有電路和第一組焊盤；
設置在所述底部載板上的待封裝芯片，所述芯片的正面具有第二組焊盤，所述芯片的背面固定到所述底部載板的特定位置；以及
轉接結構，所述轉接結構包括頂部連通結構和垂直連通結構，
其中所述頂部連通結構包括基板、設置在所述基板底面上的第三組焊盤和第一組導電結構以及將第三組焊盤連接到對應的第一組導電結構的電路，
其中所述垂直連通結構包括第二組導電結構、第四組焊盤以及連接第二組導電結構和第四組焊盤的導電通孔，
其中所述第三組焊盤通過焊料與所述第二組焊盤形成電連接，第一組導電結構與所述第二組導電結構電連接，所述第四組焊盤通過焊料與所述第一組焊盤形成電連接。
2.如權利要求1所述的芯片的封裝結構，其特征在于，所述第一組導電結構是第五組焊盤，所述第二組導電結構是第六組焊盤，所述第五組焊盤和第六組焊盤通過焊球形成電連接。
3.如權利要求1所述的芯片的封裝結構，其特征在于，所述第一組導電結構是第一凹槽，所述第二組導電結構是第二凹槽，所述第一凹槽和第二凹槽盤通過設置在其中的導電金屬形成電連接。
4.如權利要求1所述的芯片的封裝結構，其特征在于，所述基板是透明基板。
5.如權利要求1所述的芯片的封裝結構，其特征在于，所述芯片是CMOS圖像傳感器芯片。
6.一種用于芯片封裝的轉接結構，包括：
頂部連通結構，所述頂部連通結構包括基板、設置在所述基板底面上的第一組焊盤和第一組導電結構以及將第一組焊盤連接到對應的第一組導電結構的電路；以及
垂直連通結構，所述垂直連通結構包括第二組導電結構、第二組焊盤以及連接第二組導電結構和第二組焊盤的導電通孔，
其中第一組導電結構與所述第二組導電結構電連接。
7.如權利要求6所述的芯片的封裝結構，其特征在于，所述第一組導電結構是第三組焊盤，所述第二組導電結構是第四組焊盤，所述第三組焊盤和第四組焊盤通過焊球形成電連接。
8.如權利要求6所述的芯片的封裝結構，其特征在于，所述第一組導電結構是第一凹槽，所述第二組導電結構是第二凹槽，所述第一凹槽和第二凹槽盤通過設置在其中的導電金屬形成電連接。
9.如權利要求6所述的芯片的封裝結構，其特征在于，所述基板是透明基板。
10.如權利要求6所述的芯片的封裝結構，其特征在于，所述第一組導電結構采用直線排布。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司，未經華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811639912.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：具有被部分涂覆的電源端子的功率半導體模塊
- 下一篇：半導體封裝件
