[發明專利]太陽能電池片的雙面率異常分析方法有效
| 申請號: | 201811638818.0 | 申請日: | 2018-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN109712905B | 公開(公告)日: | 2020-07-10 |
| 發明(設計)人: | 姚錚;吳華德;吳堅;熊光涌;蔣方丹;邢國強 | 申請(專利權)人: | 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;常熟阿特斯陽光電力科技有限公司;阿特斯陽光電力集團有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 胡彭年 |
| 地址: | 215000 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 雙面 異常 分析 方法 | ||
1.一種太陽能電池片的雙面率異常分析方法,其特征在于:
收集不同效率檔位電池片的測試數據,統計得到各效率檔位對應的雙面率的特征值以及特定參數的特征值,形成數據庫;
對異常電池片進行測試,獲得該異常電池片的各特定參數的測試值,所述異常電池片是指雙面率偏差超過既定閾值的電池片,其中,雙面率偏差有:為該異常電池片的雙面率,為數據庫中該異常電池片所屬效率檔位對應的電池片雙面率的特征值;
根據所述異常電池片所屬效率檔位,從數據庫中獲取該效率檔位對應的各特定參數的特征值;
將雙面率偏差分解為若干分別對應不同特定參數的差異項,針對各差異項建立相應的算式,對比各差異項的計算結果,得到各差異項影響該異常電池片雙面率偏差的權重。
2.根據權利要求1所述的雙面率異常分析方法,其特征在于:所述特定參數包括開路電壓雙面率短路電流雙面率及填充因子雙面率雙面率偏差有:即將雙面率偏差分解為開路電壓雙面率差異項短路電流雙面率差異項填充因子雙面率差異項其中:
分別為該異常電池片的開路電壓雙面率、短路電流雙面率、填充因子雙面率;則分別為數據庫中該異常電池片所屬效率檔位對應的開路電壓雙面率、短路電流雙面率與填充因子雙面率。
3.根據權利要求2所述的雙面率異常分析方法,其特征在于:所述特定參數還包括背面柵線的線寬σ、背面反射率R、背面外量子效率EQE及背面內量子效率IQE,其中,EQE=IQE*(1-R);將前述短路電流雙面率差異項解析得:且:
及分別為線寬差異項、反射率差異項與復合差異項;其中,σAl-ab為所述異常電池片的背面柵線的線寬;σAl-BM為數據庫中該異常電池片所屬效率檔位對應的背面柵線的線寬;
選取若干電池片,進行測試,并在平面坐標系中標記相應的數據點,再進行線性擬合,得到相應的斜率k即為所述平面坐標系的橫坐標為背面柵線的線寬σ,縱坐標為短路電流雙面率
4.根據權利要求1所述的雙面率異常分析方法,其特征在于:每一效率檔位所收集的電池片數目不小于100片。
5.根據權利要求1所述的雙面率異常分析方法,其特征在于:根據各差異項影響前述異常電池片雙面率偏差的權重,評估各特定參數相關影響因素的排查優先級。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





