[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201811637754.2
• 申請日: 2018-12-29
• 公開（公告）號: CN109585572A
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發明（設計）人: 吳兵;王加坤
• 申請（專利權）人: 矽力杰半導體技術（杭州）有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體器件，包括：

半導體基體；

覆蓋所述半導體基體的上表面的第一金屬層，以作為所述半導體器件的第一電極；

覆蓋所述半導體基體的下表面的第二金屬層，以作為所述半導體器件的第二電極；

位于所述半導體基體中的耗盡結構；所述耗盡結構不作為所述半導體器件的電極；

增加所述半導體基體的摻雜濃度以減小所述第一金屬層和所述第二金屬層之間正向導通時的壓降；以及

當在所述第二金屬層和所述第一金屬層之間施加反向電壓時，通過所述耗盡結構輔助耗盡所述半導體基體，以保證所述第二電極和所述第一電極間之間的反向耐壓要求。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，設置所述耗盡結構的濃度和/或形狀使其為一不均勻的結構。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述耗盡結構由導電材料組成。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述耗盡結構與所述第一金屬層接觸。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述耗盡結構由所述第一金屬層和所述半導體基體的交界面延伸至所述半導體基體的內部，并截止至所述半導體基體的內部。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述耗盡結構被配置為溝槽結構，包括：

位于所述溝槽結構的底部和內側壁表面上的絕緣層；以及

位于所述絕緣層的表面上的導電半導體層。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，靠近所述第一金屬層和所述半導體基體的交界面的所述導電半導體層的濃度大于遠離所述第一金屬層和所述半導體基體的交界面的所述導電半導體層的濃度。

8.根據權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，靠近所述第一金屬層和所述半導體基體的交界面的所述導電半導體層的寬度大于遠離所述第一金屬層和所述半導體基體的交界面的所述導電半導體層的寬度。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，所述導電半導體層的寬度由上至下遞減。

10.根據權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述絕緣層為氧化物層。

11.根據權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述導電半導體層為多晶硅層。

12.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，還包括：

由所述第一金屬層和所述半導體基體的交界面延伸至所述半導體基體的內部，并截止至所述半導體基體的內部的第一半導體區；

所述第一半導體區與所述耗盡結構的外側壁相鄰；以及

由所述第一金屬層和所述半導體基體的交界面延伸至所述第一半導體區的內部，并截止至所述第一半導體區的內部的第二半導體區。

13.根據權利要求12所述的半導體器件，其特征在于，還包括：

位于相鄰的兩個第一半導體區之上的第一半導體層；以及

位于所述第一半導體層之上的第二半導體層；

所述第一半導體層，所述第二半導體層，所述第一半導體區和所述第二半導體區形成一類MOS溝道結構。

14.根據權利要求13所述的半導體器件，其特征在于，所述第一金屬層覆蓋所述第一半導體層，所述第二半導體層，所述第一半導體區，所述第二半導體區和所述耗盡結構。

15.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體基體包括N型輕摻雜的半導體層和位于所述N型輕摻雜的半導體層的下表面的N型重摻雜的半導體層，所述第二金屬層位于所述N型重摻雜的半導體層的下表面；所述耗盡結構位于所述N型輕摻雜的半導體層內。