[發明專利]一種出光率高的發光材料在審
| 申請號: | 201811636201.5 | 申請日: | 2018-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN109652073A | 公開(公告)日: | 2019-04-19 |
| 發明(設計)人: | 李陶杰 | 申請(專利權)人: | 廣東宇林照明有限公司 |
| 主分類號: | C09K11/79 | 分類號: | C09K11/79;H01L33/50 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 528459 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光材料 出光率 熔化 納米二氧化鈦 轉換發光材料 制備工藝 制成材料 白光LED 氮化硅 碳酸鉀 碳酸鍶 硝酸鈣 氧化鋅 氧化銩 制備 | ||
本發明提供一種出光率高的發光材料,由以下原料構成:氧化鋅、碳酸鍶、碳酸鉀、納米二氧化鈦、硝酸鈣、氮化硅、氧化銩,與現有技術相比,本發明具有如下的有益效果:制備工藝簡單,熔化溫度較低,降低了制備成本,最終制成材料的發光強度比現有技術中的發光材料有顯著提高,能很好的用于白光LED轉換發光材料。
技術領域
本發明是一種出光率高的發光材料,屬于LED照明領域。
背景技術
半導體照明亦稱固態照明,是指用固態發光器件作為光源的照明,包括發光二極管(LED)和有機發光二極管(OLED),具有耗電量少、壽命長、色彩豐富、耐震動、可控性強等特點。 1990年代以來,半導體照明技術不斷突破,應用領域日益擴展。在指示、顯示領域的技術基本成熟,并廣泛應用;在醫療、農業等特殊領域的技術方興未艾。 近幾年,半導體照明產業發展迅速,國外及我國臺灣地區在不同領域具有較強優勢。隨著我國產業結構調整、發展方式轉變進程的加快,半導體照明節能產業作為節能減排的重要措施迎來了新的發展機遇期。
發明內容
針對現有技術存在的不足,本發明目的是提供一種出光率高的發光材料,以解決上述背景技術中提出的問題。
為了實現上述目的,本發明是通過如下的技術方案來實現:一種出光率高的發光材料,由以下原料構成:氧化鋅、碳酸鍶、碳酸鉀、納米二氧化鈦、硝酸鈣、氮化硅、氧化銩。
進一步地,將電解法制得的鋅錠加熱至600~700℃熔融后,置于耐高溫坩堝內,使之1250~1300℃高溫下熔融氣化,導入熱空氣進行氧化,生成的氧化鋅經冷卻、旋風分離,將細粒子用布袋捕集,即制得原料中的氧化鋅。
進一步地,天青石和煤粉經粉碎成混合物,以通過20目的混合物作為原料,在溫度1100~1200℃下還原焙燒,經0.5~1.0 h,焙燒物經兩次浸取,一次水洗,浸取溫度90℃,每次浸3h,浸液經過濾,濾渣經鹽酸溶浸后進一步回收鍶,濾液中加芒硝溶液除鋇,再加入碳酸氫銨或碳酸鈉溶液進行反應生成碳酸鍶沉淀,再經分離、干燥、球磨粉碎,制得原料中的碳酸鍶。
進一步地,將氯化鉀電解后得到的氫氧化鉀溶液,在碳化塔中以二氧化碳碳化,經多效蒸發器蒸發、過濾得碳酸氫鉀,再經煅燒制得原料中的碳酸鉀。
進一步地,利用電弧、高頻或等離子體等高穩熱源將納米二氧化鈦原料加熱,使之氣化或形成等離子體,然后驟冷使之凝聚成納米粒子,形成原料中的納米二氧化鈦。
進一步地,在1300-1400℃的條件下用單質硅和氮氣直接進行化合反應得到原料中的氮化硅。
進一步地,由以下原料構成:氧化鋅5-10重量份、碳酸鍶2-4重量份、碳酸鉀3-5重量份、納米二氧化鈦1-2重量份、硝酸鈣5-7重量份、氮化硅10-12重量份、氧化銩50-80重量份。
本發明的有益效果:本發明的一種出光率高的發光材料,制備工藝簡單,熔化溫度較低,降低了制備成本,最終制成材料的發光強度比現有技術中的發光材料有顯著提高,能很好的用于白光LED轉換發光材料。
具體實施方式
為使本發明實現的技術手段、創作特征、達成目的與功效易于明白了解,下面結合具體實施方式,進一步闡述本發明。
本發明提供一種技術方案:一種出光率高的發光材料,由以下原料構成:氧化鋅、碳酸鍶、碳酸鉀、納米二氧化鈦、硝酸鈣、氮化硅、氧化銩。
將電解法制得的鋅錠加熱至600~700℃熔融后,置于耐高溫坩堝內,使之1250~1300℃高溫下熔融氣化,導入熱空氣進行氧化,生成的氧化鋅經冷卻、旋風分離,將細粒子用布袋捕集,即制得原料中的氧化鋅。
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