[發明專利]一種非隔離BOOST電路

在審

• 申請號: 201811635701.7
• 申請日: 2018-12-29
• 公開（公告）號: CN109687710A
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發明（設計）人: 潘世高;羅世明
• 申請（專利權）人: 航天柏克(廣東)科技有限公司
• 主分類號: H02M3/155
• 分類號: H02M3/155;H02M1/00;H05K1/02
• 代理公司: 佛山卓就專利代理事務所(普通合伙) 44490
• 代理人: 陳雪梅

本發明公開一種非隔離BOOST電路，包括：輸入正極連接端子、負極連接端子、電流傳感器、輸入濾波電容組件、儲能電感、開關功率管組件、整流管組件、高頻濾波電容組件、輸出濾波電容組件、輸出正極接線端子和匯流條，電流傳感器通過輸入正極匯流條連接儲能電感和輸入濾波電容組件，儲能電感通過開關管匯流條連接整流管組件和開關功率管組件。整流管組件通過輸出正極匯流條連接輸出正極接線端子、高頻濾波電容組件以及輸出濾波電容組件，輸入濾波電容組件、開關功率管組件、高頻濾波電容組件以及輸出濾波電容組件均通過負極匯流條連接負極連接端子。采用匯流條載流減小了電路板尺寸，具有制作成本低、電路簡單，可靠性高的特點。

技術領域

本發明涉及電力電子技術領域，尤其涉及一種非隔離BOOST電路。

背景技術

在能源危機和環境污染問題的壓力下，節能、環保、已成為當今發展的主題，高頻開關電源因工作頻率高、功率開關工作在開關模式，具有效率高，體積小的優點，已逐步取代了線性電源。但是在MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導體場效應晶體管)非隔離大功率BOOST電路中，當功率增加時則需要增大電路板的銅箔面積來增加電路板載流，并采用多只MOSFET管并聯使用。當電路板的銅箔距離增加，分布電感也隨之增加，分布電感在開關管關閉時電感放電產生高壓，并與分布電容形成諧振。

傳統的非隔離BOOST電路是通過增加有源或無源的緩沖電路，降低引線電感產生的高壓來減少分布電感。但由于需要增加輔助電路，并增加大電路板尺寸，增加了制作成本。

發明內容

針對以上的不足，本發明提供了一種非隔離BOOST電路，采用匯流條載流減小了電路板尺寸，具有制作成本低、電路簡單，可靠性高的特點。

為了解決上述問題，本發明提供一種非隔離BOOST電路，包括：輸入正極連接端子、負極連接端子、電流傳感器、輸入濾波電容組件、儲能電感、開關功率管組件、整流管組件、高頻濾波電容組件、輸出濾波電容組件、輸出正極接線端子和匯流條，所述匯流條包括輸入正極匯流條、輸出正極匯流條、開關管匯流條和負極匯流條，

所述電流傳感器的一端連接所述輸入正極連接端子，所述電流傳感器的另一端通過所述輸入正極匯流條連接所述儲能電感的一端和所述輸入濾波電容組件的一端，所述輸入濾波電容組件的另一端通過所述負極匯流條連接所述負極連接端子，所述儲能電感的另一端通過所述開關管匯流條連接所述整流管組件和所述開關功率管組件；

所述整流管組件通過所述輸出正極匯流條連接所述輸出正極接線端子、所述高頻濾波電容組件的一端以及所述輸出濾波電容組件的一端，所述開關功率管組件、所述高頻濾波電容組件的另一端以及所述輸出濾波電容組件的另一端均通過所述負極匯流條連接所述負極連接端子。

優選地，還包括熔斷器，所述電流傳感器通過所述熔斷器連接所述輸入正極連接端子。

優選地，還包括電路板，所述輸入正極連接端子、所述負極連接端子、所述熔斷器、所述電流傳感器、所述輸入濾波電容組件、所述儲能電感、所述開關功率管組件、所述整流管組件、所述高頻濾波電容組件、所述輸出濾波電容組件、所述輸出正極接線端子、所述輸入正極匯流條、所述輸出正極匯流條、所述開關管匯流條和所述負極匯流條均設置于所述電路板。

優選地，所述電路板為雙面敷銅板。

優選地，還包括設置于所述電路板的控制電路單元，所述控制電路單元連接所述開關功率管組件和所述輸出正極接線端子。

優選地，所述開關功率管組件包括兩個或兩個以上的功率MOS管，各所述功率MOS管的柵極連接所述控制電路單元，各所述功率MOS管的漏極通過所述開關管匯流條連接所述儲能電感和所述整流管組件，各各所述功率MOS管的源極通過所述負極匯流條連接所述負極連接端子。

優選地，所述功率MOS管的引腳彎90度安裝于所述電路板。