[發明專利]一種遠紫外高反射鏡的制備方法

有效

• 申請號: 201811635662.0
• 申請日: 2018-12-29
• 公開（公告）號: CN109628894B
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 杜建立;張錦龍;王金艷;焦宏飛;程鑫彬;王占山
• 申請（專利權）人: 潤坤（上海）光學科技有限公司;同濟大學
• 主分類號: C23C14/30
• 分類號: C23C14/30;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/26;C23C14/06;C23C14/58;G02B5/08
• 代理公司: 上海科盛知識產權代理有限公司 31225
• 代理人: 楊宏泰

1.一種遠紫外高反射鏡的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)清洗基板：將基板進行超聲清洗后用N₂吹干待用；

2)離子束流刻蝕基板：基板放入鍍膜室后抽真空使氣壓低于10^-4pa，采用離子束流刻蝕基板，通過刻蝕減少基板表面沉積的雜質和缺陷，用以改善基板表面的質量；

3)鍍制Cr膜：在常溫下，采用電子束蒸發方式鍍制10-15nm的Cr膜，用以增加基板對Al膜的附著力；

4)鍍制Al膜：在常溫下，采用熱蒸發方式加熱熔化鎢舟中的Al粒，通過晶振監控的方式控制基板上Al膜的鍍制厚度為80-120nm；

5)控制和減少Al₂O₃氧化膜的形成：將鍍膜室溫度升高到180-220℃，烘烤整個鍍膜室超過30分鐘，用以降低鍍膜室的水汽對Al膜氧化的影響，繼續抽真空，使氣壓低于10^-4pa，采用氬離子束流刻蝕Al膜生成Al₂O₃氧化膜，減小紫外波段的吸收；

6)鍍制MgF₂薄膜：采用電子束蒸發方式鍍制20-30nm致密均勻的MgF₂薄膜，并將鍍制MgF₂薄膜后的基板在鍍膜機中冷卻到室溫；

7)退火處理：將鍍制好的基板放入清洗干凈的耐高溫石英容器中，置于高溫試驗箱中抽真空使氣壓低于10^-4pa，設置分步退火條件，將鍍制MgF₂薄膜后的基板在250-300℃退火3小時，具體包括以下步驟：

71)加熱10分鐘時升溫到50℃；

72)再加熱20分鐘，使溫度從50℃加熱到100℃；

73)再加熱30分鐘，使溫度從100℃加熱到200℃；

74)再加熱30分鐘，使溫度從200℃加熱到300℃；

75)維持溫度300℃，退火3小時；

76)降溫到室溫，完成整個退火過程；

8)儲存：將退火處理后的基板，放入密封容器里充入N₂，置于干燥柜中保存。

2.根據權利要求1所述的一種遠紫外高反射鏡的制備方法，其特征在于，所述的步驟1)中，采用溫度為40攝氏度弱堿性溶液清洗基板，并通過速率為50mm/min的慢提拉方式取出。

3.根據權利要求1所述的一種遠紫外高反射鏡的制備方法，其特征在于，所述的步驟2)中，采用電壓為450V、電流為600mA、氧氣流量為0sccm、氬氣流量為20sccm的離子束流刻蝕基板10分鐘。

4.根據權利要求1所述的一種遠紫外高反射鏡的制備方法，其特征在于，所述的步驟3)中，施加140mA電流，以7-10A/s的速率鍍制Cr膜。

5.根據權利要求1所述的一種遠紫外高反射鏡的制備方法，其特征在于，所述的步驟4)中，施加450mA電流，熱蒸發鎢舟中純度為99.999％的Al粒，使Al粒以10-20A/s的速率蒸發鍍制Al膜。

6.根據權利要求1所述的一種遠紫外高反射鏡的制備方法，其特征在于，所述的步驟5)中，采用電壓為500V，電流為500mA，流量為25sccm的氬離子束流以5-8A/s的速率進行20s的Al膜刻蝕。

7.根據權利要求1所述的一種遠紫外高反射鏡的制備方法，其特征在于，所述的步驟6)中，在離子蝕刻氧化層后，施加30mA電流以速率7-10A/s鍍制MgF₂薄膜。