[發(fā)明專利]一種復(fù)合薄膜、量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811635623.0
• 申請(qǐng)日: 2018-12-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111384264B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-01-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇亮;謝相偉;眭俊;田亞蒙;黃航
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種復(fù)合薄膜，其特征在于，包括：石墨烯量子點(diǎn)薄膜和烷基硅烷，所述石墨烯量子點(diǎn)薄膜表面具有含氧基團(tuán)，所述烷基硅烷與所述含氧基團(tuán)結(jié)合，所述烷基硅烷含有吸電子基團(tuán)或給電子基團(tuán)，所述吸電子基團(tuán)或給電子基團(tuán)與所述含氧基團(tuán)結(jié)合；當(dāng)所述烷基硅烷含有吸電子基團(tuán)時(shí)，所述石墨烯量子點(diǎn)薄膜中石墨烯量子點(diǎn)的平面方向尺寸為2～30nm，當(dāng)所述烷基硅烷含有給電子基團(tuán)時(shí)，所述石墨烯量子點(diǎn)薄膜中石墨烯量子點(diǎn)的平面方向尺寸為40～100nm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合薄膜，其特征在于，所述烷基硅烷包括烷基氯硅烷、烷基烷氧基硅烷和烷基氨基硅烷中的一種或多種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合薄膜，其特征在于，所述含有吸電子基團(tuán)的烷基硅烷為1H,1H,2H,2H-全氟辛基三氯硅烷。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合薄膜，其特征在于，所述含有給電子基團(tuán)的烷基硅烷為氨基丙基三乙氧基硅烷。

5.一種復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于，包括步驟：

提供石墨烯量子點(diǎn)溶液，石墨烯量子點(diǎn)表面具有含氧基團(tuán)；

提供基板，將所述石墨烯量子點(diǎn)溶液沉積在所述基板上，在基板上形成石墨烯量子點(diǎn)薄膜；

提供烷基硅烷溶液，將形成有石墨烯量子點(diǎn)薄膜的基板浸入所述烷基硅烷溶液中，使烷基硅烷與石墨烯量子點(diǎn)薄膜表面的含氧基團(tuán)反應(yīng)，得到所述復(fù)合薄膜；所述烷基硅烷含有吸電子基團(tuán)或給電子基團(tuán)，所述吸電子基團(tuán)或給電子基團(tuán)與所述含氧基團(tuán)結(jié)合；當(dāng)所述烷基硅烷含有吸電子基團(tuán)時(shí)，所述石墨烯量子點(diǎn)薄膜中石墨烯量子點(diǎn)的平面方向尺寸為2～30nm，當(dāng)所述烷基硅烷含有給電子基團(tuán)時(shí)，所述石墨烯量子點(diǎn)薄膜中石墨烯量子點(diǎn)的平面方向尺寸為40～100nm。

6.一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管，包括：陽(yáng)極、陰極、設(shè)置在所述陽(yáng)極和陰極之間的量子點(diǎn)發(fā)光層，其特征在于，還包括：設(shè)置在所述陽(yáng)極和量子點(diǎn)發(fā)光層之間的空穴傳輸層，所述空穴傳輸層為權(quán)利要求1所述的復(fù)合薄膜；

或者，設(shè)置在所述陰極和量子點(diǎn)發(fā)光層之間的電子傳輸層，所述電子傳輸層為權(quán)利要求1所述的復(fù)合薄膜；

或者，設(shè)置在所述陽(yáng)極和量子點(diǎn)發(fā)光層之間的空穴傳輸層、設(shè)置在所述陰極和量子點(diǎn)發(fā)光層之間的電子傳輸層，所述空穴傳輸層和所述電子傳輸層中的至少一種為權(quán)利要求1所述的復(fù)合薄膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，當(dāng)所述空穴傳輸層為所述復(fù)合薄膜時(shí)，所述復(fù)合薄膜中烷基硅烷含有吸電子基團(tuán)；和/或，

所述復(fù)合薄膜中石墨烯量子點(diǎn)的平面方向尺寸為2～30nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，當(dāng)所述電子傳輸層為所述復(fù)合薄膜時(shí)，所述復(fù)合薄膜中烷基硅烷含有給電子基團(tuán)；和/或，

石墨烯量子點(diǎn)的平面方向尺寸為40～100nm。

9.一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，包括步驟：

提供陽(yáng)極，在所述陽(yáng)極上形成空穴傳輸層，所述空穴傳輸層為權(quán)利要求1所述的復(fù)合薄膜，在所述空穴傳輸層上形成量子點(diǎn)發(fā)光層，在所述量子點(diǎn)發(fā)光層上形成陰極，得到所述量子點(diǎn)發(fā)光二極管；或者，

提供陽(yáng)極，在所述陽(yáng)極上形成量子點(diǎn)發(fā)光層，在所述量子點(diǎn)發(fā)光層上形成電子傳輸層，所述電子傳輸層為權(quán)利要求1所述的復(fù)合薄膜，在所述電子傳輸層上形成陰極，得到所述量子點(diǎn)發(fā)光二極管；或者，

提供陽(yáng)極，在所述陽(yáng)極上形成空穴傳輸層，在所述空穴傳輸層上形成量子點(diǎn)發(fā)光層，在所述量子點(diǎn)發(fā)光層上形成電子傳輸層，在所述電子傳輸層上形成陰極，其中，所述空穴傳輸層和所述電子傳輸層中的至少一種為權(quán)利要求1所述的復(fù)合薄膜。