[發(fā)明專利]量子點發(fā)光二極管及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811635038.0
• 申請日: 2018-12-29
• 公開（公告）號: CN111384263B
• 公開（公告）日: 2021-11-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黎瑞鋒;錢磊;曹蔚然;劉文勇
• 申請（專利權(quán)）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 深圳中一聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414
• 代理人: 黃志云

1.一種量子點發(fā)光二極管，其特征在于，包括相對設(shè)置的陰極和陽極，在所述陰極和所述陽極之間設(shè)置的量子點發(fā)光層，設(shè)置在所述陰極和所述量子點發(fā)光層之間的疊層，所述疊層包括第一金屬氧化物納米顆粒層以及設(shè)置在所述第一金屬氧化物納米顆粒層背離所述量子點發(fā)光層表面的混合材料層，所述混合材料層的材料包括第一金屬氧化物納米顆粒和分散在所述第一金屬氧化物納米顆粒間隙中的第二金屬氧化物，所述第一金屬氧化物納米顆粒層中的第一金屬氧化物納米顆粒為電子傳輸材料；所述第二金屬氧化物選自鋁的氧化物、鎂的氧化物、鈦的氧化物、銅的氧化物、鈣的氧化物和銦的氧化物中的一種或多種；

且所述混合材料層中，沿所述量子點發(fā)光層到所述陰極的方向，所述第二金屬氧化物的含量逐漸增加。

2.如權(quán)利要求1所述的量子點發(fā)光二極管，其特征在于，所述混合材料層的材料由第一金屬氧化物納米顆粒與第二金屬氧化物組成。

3.如權(quán)利要求1所述的量子點發(fā)光二極管，其特征在于，所述混合材料層還包括分散在所述第一金屬氧化物納米顆粒間隙中的第二金屬。

4.如權(quán)利要求3所述的量子點發(fā)光二極管，其特征在于，沿所述量子點發(fā)光層到所述陰極的方向，所述第二金屬氧化物的含量逐漸增加，第二金屬含量逐漸增加。

5.如權(quán)利要求3或4所述的量子點發(fā)光二極管，其特征在于，所述混合材料層由所述第一金屬氧化物納米顆粒和分散在所述第一金屬氧化物納米顆粒間隙中的第二金屬氧化物和第二金屬組成。

6.如權(quán)利要求3或4所述的量子點發(fā)光二極管，其特征在于，所述第二金屬選自鋁、鎂、鈦、銅、鈣和銦中的一種或多種。

7.如權(quán)利要求1至4任一項所述的量子點發(fā)光二極管，其特征在于，還包括結(jié)合在所述疊層的朝向所述陰極表面的第二金屬層。

8.如權(quán)利要求7所述的量子點發(fā)光二極管，其特征在于，所述第二金屬層的厚度為0~5nm；和/或，

所述第二金屬層中的第二金屬選自鋁、鎂、鈦、銅、鈣和銦中的一種或多種。

9.如權(quán)利要求1至4任一項所述的量子點發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一金屬氧化物納米顆粒選自ZnO、TiO₂、SnO₂、Ta₂O₃、ZrO₂、NiO、TiLiO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO和InSnO中的一種或多種。

10.如權(quán)利要求1所述的量子點發(fā)光二極管，其特征在于，所述量子點發(fā)光層、所述疊層與所述陰極層疊結(jié)合。

11.一種量子點發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供陽極基板，所述陽極基板表面設(shè)置有初始第一金屬氧化物納米顆粒層，所述初始第一金屬氧化物納米顆粒層中的第一金屬氧化物納米顆粒為電子傳輸材料，其中，所述陽極基板包括基底、層疊設(shè)置在所述基底表面的陽極和層疊設(shè)置在所述陽極表面的量子點發(fā)光層；

在所述初始第一金屬氧化物納米顆粒層上蒸鍍初始第二金屬層，對蒸鍍有所述初始第二金屬層的陽極基板進行加熱退火處理，在所述陽極基板表面形成一疊層，所述疊層包括第一金屬氧化物納米顆粒層以及設(shè)置在所述第一金屬氧化物納米顆粒層背離所述量子點發(fā)光層表面的混合材料層，所述混合材料層的材料包括第一金屬氧化物納米顆粒和分散在所述第一金屬氧化物納米顆粒間隙中的第二金屬氧化物，所述第一金屬氧化物納米顆粒層中的第一金屬氧化物納米顆粒為電子傳輸材料；且所述混合材料層中，沿遠離所述陽極的方向，所述第二金屬氧化物的含量逐漸增加；其中，所述加熱退火處理的溫度為80℃~140℃，時間為25min~50min，所述初始第二金屬層中的第二金屬選自鋁、鎂、鈦、銅、鈣和銦中的一種或多種。