[發明專利]一種三維存儲器及其制造方法

有效

• 申請號: 201811634636.6
• 申請日: 2018-12-29
• 公開（公告）號: CN109727990B
• 公開（公告）日: 2020-05-15
• 發明（設計）人: 胡斌;肖莉紅
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11551
• 分類號: H01L27/11551;H01L27/11578
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 徐偉

1.一種三維存儲器的制造方法，其特征在于，包括：

提供第一晶圓和第二晶圓，所述第一晶圓包括第一襯底和第一介質層，所述第二晶圓的上部為所述三維存儲器的外圍器件；

在所述第一介質層中形成所述三維存儲器的陣列單元的阱區，在所述第一晶圓上部形成所述陣列單元；

粘結所述第一晶圓與所述第二晶圓，所述陣列單元與所述外圍器件之間為第一粘結界面；

沿所述第一介質層與所述第一襯底之間的第一切割界面切割所述第一晶圓，使所述第一襯底剝離所述第一晶圓。

2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，提供所述第一晶圓的步驟進一步包括：

提供所述第一襯底和第三襯底；

在所述第三襯底中形成所述第一介質層；

粘結所述第一襯底和所述第三襯底，所述第一襯底與所述第一介質層之間為第二粘結界面；

以所述第一介質層在所述第三襯底中的交界面為第二切割界面切割所述第三襯底，使所述第一介質層剝離所述第三襯底。

3.如權利要求2所述的制造方法，其特征在于，在所述第三襯底中形成所述第一介質層進一步包括：

在所述第三襯底表面進行注氫處理以形成注氫層，所述第一介質層為所述注氫層。

4.如權利要求3所述的制造方法，其特征在于，在所述第一介質層中形成所述存儲器的陣列單元的阱區的步驟進一步還包括：

對所述注氫層執行離子注入，以形成所述阱區；

高溫退火，以固化所述阱區中的PN結并除氣所述注氫層為富氫層。

5.如權利要求2所述的制造方法，其特征在于，提供所述第一襯底進一步包括：

在所述第一襯底中進行多孔氧化處理以形成多孔氧化硅層。

6.如權利要求2所述的制造方法，其特征在于，粘結所述第一襯底與所述第三襯底進一步包括：

倒置所述第三襯底，使所述第一介質層粘結在所述第一襯底上表面。

7.如權利要求2所述的制造方法，其特征在于，切割所述第三襯底后，還包括：

對所述第二切割界面進行拋光處理。

8.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，切割所述第一晶圓后，還包括：

對所述第一介質層表面進行拋光處理。

9.如權利要求7或8所述的制造方法，其特征在于，所述拋光處理為化學機械拋光。

10.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，粘結所述第一晶圓與所述第二晶圓進一步包括：

倒置所述第一晶圓，使所述陣列單元粘結在所述外圍器件的上表面，所剝離的所述第一襯底位于頂部。

11.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，粘結所述第一晶圓與所述第二晶圓進一步包括：

倒置所述第二晶圓，使所述外圍器件粘結在所述陣列單元的上表面；

切割所述第一晶圓的步驟還包括：

倒置粘結后的所述第一晶圓與所述第二晶圓，所剝離的所述第一襯底位于頂部。

12.如權利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，通過智能剝離工藝執行所述切割。

13.一種采用如權利要求1-12中任一項所述的制造方法所制造的三維存儲器。