[發明專利]基板加熱裝置、基板處理系統以及基板加熱方法在審
| 申請號: | 201811634559.4 | 申請日: | 2018-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN111383944A | 公開(公告)日: | 2020-07-07 |
| 發明(設計)人: | 加藤茂;細田浩 | 申請(專利權)人: | 東京應化工業株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 上海立群專利代理事務所(普通合伙) 31291 | 代理人: | 毛立群 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 加熱 裝置 處理 系統 以及 方法 | ||
1.一種基板加熱裝置,其特征在于,包括:
腔室,在內部形成有能夠收容基板的收容空間;
減壓部,能夠對所述收容空間的氣氛進行減壓;
基板加熱部,配置在所述基板的一面側以及另一面側的至少一方,并且能夠加熱所述基板;
壓力檢測部,能夠檢測所述收容空間的壓力;
控制部,基于所述壓力檢測部的檢測結果,控制所述基板加熱部。
2.如權利要求1所述的基板加熱裝置,其特征在于,
所述控制部基于預先計算出的所述收容空間的壓力與所述基板的溫度以及所述基板的加熱時間的關系相關的信息、以及所述壓力檢測部的檢測結果,控制所述基板加熱部的輸出以及驅動時間的至少一方,以使所述收容空間的壓力不超過壓力閾值。
3.如權利要求1或者2所述的基板加熱裝置,其特征在于,
所述基板加熱部包括:
電熱板,配置在所述基板的一面側;
紅外線加熱器,配置在所述基板的另一面側,并且能夠通過紅外線加熱所述基板。
4.如權利要求3所述的基板加熱裝置,其特征在于
所述控制部基于預先計算出的所述收容空間的壓力與所述基板的溫度以及所述基板的加熱時間的關系相關的信息、以及所述壓力檢測部的檢測結果,切換地驅動所述電熱板以及所述紅外線加熱器的至少一方,以使所述收容空間的壓力不超過壓力閾值。
5.如權利要求3或者4所述的基板加熱裝置,其特征在于,
所述腔室的內表面的至少一部分為反射所述紅外線的腔室側反射面。
6.如權利要求3~5的任一項所述的基板加熱裝置,其特征在于,
所述電熱板能夠在20℃以上且300℃以下的范圍加熱所述基板,
所述紅外線加熱器能夠在200℃以上且600℃以下的范圍加熱所述基板。
7.如權利要求3~6的任一項所述的基板加熱裝置,其特征在于,
還包括紅外線反射部,所述紅外線反射部具有配置在所述電熱板與所述紅外線加熱器之間并且反射朝向所述電熱板的所述紅外線的電熱板側反射面,
所述電熱板包括能夠載置所述紅外線反射部的載置面。
8.如權利要求3~7的任一項所述的基板加熱裝置,其特征在于,
僅在所述基板的第一表面涂布被處理物,
所述電熱板配置于所述基板的與第一表面相反的一側即第二表面側。
9.如權利要求3~8的任一項所述的基板加熱裝置,其特征在于,
所述電熱板以及所述紅外線加熱器中的至少一方能夠階段性地加熱所述基板。
10.如權利要求3~9的任一項所述的基板加熱裝置,其特征在于,
還包括位置調整部,所述位置調整部能夠調整所述電熱板以及所述紅外線加熱器的至少一方與所述基板之間的相對位置。
11.如權利要求10所述的基板加熱裝置,其特征在于,
所述位置調整部還包括移動部,能夠使所述基板在所述電熱板與所述紅外線加熱器之間移動。
12.如權利要求11所述的基板加熱裝置,其特征在于,
在所述電熱板與所述紅外線加熱器之間,設置有能夠輸送所述基板的輸送部,
在所述輸送部中,形成能夠使所述移動部通過的通過部。
13.如權利要求11或者12所述的基板加熱裝置,其特征在于,
所述移動部包括多個銷,所述多個銷能夠支承所述基板的與第一表面相反一側的第二表面,并且能夠在所述第二表面的法線方向上移動,
所述多個銷的前端配置在與所述第二表面平行的面內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





