[發明專利]基板處理方法和基板處理裝置

有效

• 申請號: 201811633335.1
• 申請日: 2018-12-29
• 公開（公告）號: CN110047776B
• 公開（公告）日: 2023-07-07
• 發明（設計）人: 根來世;小林健司
• 申請（專利權）人: 株式會社斯庫林集團
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/306
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 鐘晶;金鮮英

1.一種基板處理方法，其包含：

第1氧濃度確定工序，基于表示基板主面的蝕刻量的所需值的所需蝕刻量，確定設定溶解氧濃度和設定氣氛氧濃度中的一方，所述設定溶解氧濃度表示蝕刻液的溶解氧濃度的設定值，所述設定氣氛氧濃度表示與保持于所述基板主面的所述蝕刻液接觸的氣氛中的氧濃度的設定值；

第2氧濃度確定工序，基于所述所需蝕刻量與所述第1氧濃度確定工序中確定的所述設定溶解氧濃度和設定氣氛氧濃度中的一方，確定所述設定溶解氧濃度和設定氣氛氧濃度中的另一方；

低氧氣體供給工序，使低氧氣體流入至容納所述基板的腔室內，所述低氧氣體具有與所述第1氧濃度確定工序或第2氧濃度確定工序中確定的所述設定氣氛氧濃度一致或接近、且比空氣中的氧濃度低的氧濃度；以及

蝕刻工序，使通過所述低氧氣體供給工序流入至所述腔室內的所述低氧氣體與保持于所述基板主面的所述蝕刻液接觸，并且將按照溶解氧濃度與所述第1氧濃度確定工序或第2氧濃度確定工序中確定的所述設定溶解氧濃度一致或接近的方式減少了溶解氧的所述蝕刻液供給至保持為水平的所述基板的整個主面，從而對所述基板的主面進行蝕刻。

2.根據權利要求1所述的基板處理方法，所述第1氧濃度確定工序和第2氧濃度確定工序中的一方包含以下工序中的一方：將比能夠設定為所述設定溶解氧濃度的數值范圍的最小值大的值確定為所述設定溶解氧濃度的工序；以及將比能夠設定為所述設定氣氛氧濃度的數值范圍的最小值大的值確定為所述設定氣氛氧濃度的工序。

3.根據權利要求1所述的基板處理方法，所述蝕刻工序包含液體排出工序：一邊使從液體排出口排出的所述蝕刻液與所述基板的主面最初接觸的落液位置在從所述蝕刻液開始排出到所述蝕刻液停止排出為止的期間位于所述基板的主面中央部，一邊使按照溶解氧濃度與所述第1氧濃度確定工序或第2氧濃度確定工序中確定的所述設定溶解氧濃度一致或接近的方式減少了溶解氧的所述蝕刻液從所述液體排出口朝向保持為水平的所述基板的主面排出。

4.根據權利要求3所述的基板處理方法，所述第2氧濃度確定工序為如下工序：按照所述基板的整個主面的蝕刻量的分布成為圓錐狀或倒圓錐狀的方式，基于所述所需蝕刻量以及所述第1氧濃度確定工序中確定的所述設定溶解氧濃度和設定氣氛氧濃度中的一方，確定所述設定溶解氧濃度和設定氣氛氧濃度中的另一方。

5.根據權利要求1～3中任一項所述的基板處理方法，所述第1氧濃度確定工序為基于所述所需蝕刻量來確定所述設定溶解氧濃度的工序，

所述第2氧濃度確定工序為基于所述所需蝕刻量和所述第1氧濃度確定工序中確定的所述設定溶解氧濃度來確定所述設定氣氛氧濃度的工序。

6.根據權利要求1～3中任一項所述的基板處理方法，所述低氧氣體供給工序包含如下工序：一邊使能夠在所述腔室內移動的相對構件的相對面與所述基板的主面相對，一邊使所述低氧氣體從設置于所述相對面的開口流入至所述基板的主面與所述相對構件的相對面之間。

7.根據權利要求6所述的基板處理方法，所述低氧氣體供給工序包含如下工序：使所述低氧氣體從設置于所述相對構件的相對面且與所述基板的主面中央部相對的中央開口流入至所述基板的主面與所述相對構件的相對面之間的工序；以及使所述低氧氣體從設置于所述相對構件的相對面且與除所述基板的主面中央部以外的所述基板的主面的一部分相對的外側開口流入至所述基板的主面與所述相對構件的相對面之間的工序。

8.根據權利要求1～3中任一項所述的基板處理方法，所述低氧氣體供給工序包含如下工序：一邊使所述腔室內的氣體從所述腔室的下端部排出，一邊使所述低氧氣體從所述腔室的上端部流入至所述腔室內。