[發明專利]一種改善晶圓翹曲的方法、裝置和設備

有效

• 申請號: 201811633132.2
• 申請日: 2018-12-29
• 公開（公告）號: CN109727852B
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發明（設計）人: 李涌偉;王先彬;汪飛艷
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/266
• 分類號: H01L21/266;H01L21/67
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 李梅香;張穎玲

本申請實施例公開了一種改善晶圓翹曲的方法、裝置和設備，該方法包括，如果晶圓發生翹曲，確定所述晶圓上的每一曲面的形狀；根據所述每一曲面的形狀，確定所述晶圓的待改善區域；從所述晶圓的背面對所述待改善區域進行離子注入，產生與所述待改善區域的翹曲相對應的應力。

技術領域

本申請實施例涉及半導體制造技術，涉及但不限于一種改善晶圓翹曲的方法、裝置和設備。

背景技術

晶圓是指半導體集成電路制作中所使用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可以加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能的集成電路產品。在半導體集成電路的制作過程中，晶圓會由于受熱等原因產生翹曲，翹曲的程度較大時會對后續制程造成不良影響，降低生產良率。翹曲是指晶圓在加工過程中，由于受熱等原因造成的不均勻收縮，而發生變形的現象。

發明內容

有鑒于此，本申請實施例為解決現有技術中存在的至少一個問題而提供一種改善晶圓翹曲的方法及裝置，所述方法包括：

如果所述晶圓發生翹曲，確定所述晶圓上的每一曲面的形狀；

根據所述每一曲面的形狀，確定所述晶圓的待改善區域；

從所述晶圓的背面對所述待改善區域進行離子注入，產生與所述待改善區域的翹曲相對應的應力。

所述裝置包括：

檢測部件，配置為如果所述晶圓發生翹曲，確定所述晶圓上的每一曲面的形狀；

運算部件，配置為根據所述每一曲面的形狀，確定所述晶圓的待改善區域；

離子注入部件，配置為從所述晶圓的背面對所述待改善區域進行離子注入，產生與所述待改善區域的翹曲相對應的應力。

本申請實施例還提供一種改善晶圓翹曲的設備，所述設備包括：存儲器、處理器和操作部件，所述存儲器存儲有可在處理器上運行的計算機程序，所述處理器執行所述計算機程序控制所述操作部件實現上述改善晶圓翹曲的方法。

通過本申請實施例的技術方案，從晶圓的背面對發生翹曲的待改善區域進行離子注入，使待改善區域產生與翹曲相對應的應力，從而改善晶圓的翹曲。在晶圓發生復雜的翹曲情況時，也能夠有針對性地進行改善，達到較好的改善效果。

附圖說明

圖1為本申請實施例的一種改善晶圓翹曲的方法流程示意圖；

圖2為本申請實施例的另一種改善晶圓翹曲的方法流程示意圖；

圖3A為本申請實施例的改善晶圓翹曲的原理示意圖；

圖3B為本申請實施例的另一情況下改善晶圓翹曲的原理示意圖；

圖3C為本申請實施例的又一情況下改善晶圓翹曲的原理示意圖；

圖4為本申請實施例中的晶圓示意圖；

圖5為本申請實施例中晶圓翹曲情況的示意圖；

圖6為本申請實施例中離子注入過程的原理示意圖；

圖7為本申請實施例的一種改善晶圓翹曲的裝置的組成結構示意圖。

具體實施方式

3D NAND(三維計算機閃存設備)晶圓器件的制造工藝工程中晶圓會產生翹曲，并有可能形成十分復雜的非對稱多階曲面，影響后續器件工藝，如光刻對準、鍵合等。