[發(fā)明專(zhuān)利]基于源試劑的用于批量沉積的高物質(zhì)通量流體的輸送在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811632470.4 | 申請(qǐng)日: | 2013-05-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109972119A | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-07-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 布賴(lài)恩·C·亨德里克斯;約翰·N·格雷格;斯科特·L·巴特爾;唐·K·納伊托;凱勒·巴托什;約翰·M·克利里;澤布姆·琴;約爾丹·霍奇斯 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 恩特格里斯公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C23C16/44 | 分類(lèi)號(hào): | C23C16/44;C23C16/448;C23C16/455;C23C16/458 |
| 代理公司: | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 顧晨昕 |
| 地址: | 美國(guó)馬*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 支持盤(pán) 源試劑 疊層 垂直堆疊 物質(zhì)通量 流體 沉積 顆粒抑制裝置 重新定向 汽化器 內(nèi)壁 包圍 | ||
1.一種系統(tǒng),包括:
具有包圍內(nèi)部空間的一個(gè)或多個(gè)內(nèi)壁的汽化器容器;和
多個(gè)試劑支持盤(pán),其中:
所述多個(gè)試劑支持盤(pán)中的每個(gè)包括具有構(gòu)造為支持供給的源試劑物質(zhì)的頂面和底面的支持表面;以及
所述多個(gè)試劑支持盤(pán)構(gòu)造為在所述內(nèi)部空間內(nèi)可垂直堆疊以形成試劑支持盤(pán)疊層,其中,所述多個(gè)試劑支持盤(pán)中的一個(gè)或多個(gè)構(gòu)造為重新定向通過(guò)所述試劑支持盤(pán)疊層中的兩個(gè)或更多個(gè)相鄰的試劑支持盤(pán)之間的氣流,以使所述氣流在進(jìn)入所述試劑支持盤(pán)疊層中的所述多個(gè)試劑支持盤(pán)的下一個(gè)之前,在所述多個(gè)試劑支持盤(pán)的一個(gè)特定試劑支持盤(pán)中與所述源試劑物質(zhì)相互作用,所述試劑支持盤(pán)包括完全跨越所述支持表面延伸并且在所述支持表面上彼此中心交叉的隔板,所述隔板具有貫穿的通道,用于使氣體從底面下通過(guò)所述通道流動(dòng)至頂面上方,
其中,每個(gè)隔板具有在所述底面下延伸第一距離的下端和上端,其中,所述底面下的氣體被迫離開(kāi)所述底面循環(huán),以到達(dá)所述隔板的所述下端處的所述通道,
其中,所述多個(gè)試劑支持盤(pán)包括支持盤(pán)和下層支持盤(pán),其中,當(dāng)將所述下層支持盤(pán)垂直堆疊在所述支持盤(pán)下時(shí),所述下層支持盤(pán)的所述隔板構(gòu)造為與所述支持盤(pán)的所述隔板偏置,且
其中,當(dāng)所述下層支持盤(pán)垂直堆疊在所述支持盤(pán)下時(shí),所述下層支持盤(pán)的所述隔板的下層上端延伸至所述支持盤(pán)的所述支持表面的所述底面的第二距離內(nèi),并且其中,所述第一距離大于所述第二距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其中,所述多個(gè)試劑支持盤(pán)中的每個(gè)構(gòu)造為與所述一個(gè)或多個(gè)內(nèi)壁緊密接合,使得所述隔板的所述通道提供用于所述氣體從所述底面下流至頂面上方的唯一通路。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其中,所述多個(gè)試劑支持盤(pán)中的每個(gè)進(jìn)一步包括側(cè)壁,其中,所述側(cè)壁基本圍繞所述支持表面的外周,并且其中,將所述側(cè)壁構(gòu)造為沿著所述支持表面的外周與所述一個(gè)或多個(gè)內(nèi)壁緊密接合。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的系統(tǒng),其中,所述多個(gè)試劑支持盤(pán)包括支持盤(pán)和構(gòu)造為在所述支持盤(pán)下可垂直堆疊的下層支持盤(pán),并且其中,所述支持盤(pán)的所述側(cè)壁的下邊緣沿著所述支持表面的所述外周與所述下層支持盤(pán)的所述側(cè)壁的上邊緣接合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其中,所述隔板通常是中空的,使得所述通道包括貫穿所述隔板延伸的槽。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其中,所述隔板包括貫穿所述隔板延伸的多個(gè)孔,其中,所述多個(gè)孔形成貫穿所述隔板中的每個(gè)延伸的多個(gè)基本平行的通道。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其中,至少一個(gè)所述試劑支持盤(pán)包括部分跨越所述支持表面延伸的隔板。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其中,至少一個(gè)所述試劑支持盤(pán)包括具有在由所述支持表面限定的平面上基本平行的側(cè)面的隔板。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其中,至少一個(gè)所述試劑支持盤(pán)包括具有在由所述支持表面限定的平面上不平行的側(cè)面的隔板。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其中,至少一個(gè)所述試劑支持盤(pán)包括完全跨越所述支持表面延伸的隔板,并且所述支持盤(pán)不包括僅部分跨越所述支持表面延伸的隔板。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其中,所述多個(gè)試劑支持盤(pán)中的每個(gè)包括構(gòu)造為允許管貫穿所述隔板和所述支持表面延伸的開(kāi)口,其中,所述管構(gòu)造為使載氣從所述汽化器容器的上部分流至所述汽化器容器的所述內(nèi)部空間的下部分,或者從所述汽化器容器的所述內(nèi)部空間的下部分流至所述汽化器容器的上部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其中,所述多個(gè)試劑支持盤(pán)包括盤(pán),至少一些所述盤(pán)具有不同的高度,且其中多個(gè)所述盤(pán)中的每一者具有從所述支持表面的下邊緣到圍繞所述支持表面的側(cè)壁的上邊緣測(cè)量的高度。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的
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