[發(fā)明專利]將半導體裝置從帶去除的設備、系統(tǒng)和方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811632431.4 | 申請日: | 2018-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN110021539B | 公開(公告)日: | 2023-08-01 |
| 發(fā)明(設計)人: | J·E·明尼克;B·P·沃茲;B·K·施特雷特;J·M·戴德里安 | 申請(專利權(quán))人: | 美光科技公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/50 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 王龍 |
| 地址: | 美國愛*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 去除 設備 系統(tǒng) 方法 | ||
本申請案涉及一種將半導體裝置從帶去除的設備、系統(tǒng)和方法。所述設備或系統(tǒng)包含安放在帶與粘合層之間的囊狀物,所述粘合層經(jīng)配置以選擇性地將所述帶連接到半導體裝置。所述囊狀物包含一或多個腔室,其可選擇性地展開,以將所述囊狀物和粘合層的一部分移動遠離所述帶,這可使得能夠去除所述半導體裝置。流體到所述腔室中的每一者中的流動可選擇性地展開所述腔室。所述腔室可具有大體上圓形的上部輪廓或大體上尖形的上部輪廓。可加熱所述腔室內(nèi)的材料,以展開所述腔室。多個導管可準許流體流動到所述腔室中。可將所述導管插入到所述囊狀物中。所述腔室可在展開之后塌縮,以使得能夠?qū)雽w裝置從所述帶去除。
技術領域
本文所述實施例涉及一種設備、系統(tǒng),以及使用所述設備或系統(tǒng)的方法,所述設備或系統(tǒng)包含安放在帶與粘合層之間的囊狀物,所述粘合層經(jīng)配置以選擇性地將所述帶連接到半導體裝置。所述囊狀物包含一或多個腔室,其可選擇性地展開,以將所述囊狀物和粘合層的一部分移動遠離所述帶,這可使得能夠去除半導體裝置。
背景技術
半導體裝置可包含形成于單個襯底上的多個半導體裝置。舉例來說,半導體晶片可包含多個裸片,其可經(jīng)處理以從單個半導體晶片形成多個半導體裝置。可使用各種工藝來將所述半導體裝置分成多個半導體裝置。
舉例來說,可使用穿過帶的隱形切割來將半導體晶片分成多個半導體裝置。所述半導體裝置通常可包括定位于硅層上的電路層。所述電路層包括頂部表面,且所述硅層包括底部表面。將半導體晶片的后側(cè)或底部表面施加到帶材料。可使用各種帶材料,例如Lintec?D-L01wtest38帶、Lintec?D-175和/或Nitto?PF-04。
可使用各種方法來從貼裝到帶材料的單個半導體晶片形成多個半導體裝置。舉例來說,紅外激光器分解半導體晶片的硅層的一部分,且接著使用帶展開機來將展開力施加到帶材料,致使硅晶格分裂,其中紅外激光器已使其斷裂。或者,單個半導體晶片可以機械方式、通過蝕刻、通過激光和/或通過其它方法形成到多個半導體裝置中。
半導體處理和封裝技術繼續(xù)演變來滿足對增加的性能和減小的尺寸的行業(yè)需求。電子產(chǎn)品,例如手機、智能電話、平板計算機、個人數(shù)字助理、膝上型計算機以及其它電子裝置,需要具有高密度的裝置同時具有相對較小的占用面積的經(jīng)封裝半導體組合件。可減小半導體晶片的厚度,以最小化半導體裝置(即裸片)的大小。隨著半導體裝置的厚度減小,那么裝置可能較易碎,且將其從帶去除可能較困難。舉例來說,可能難以在不潛在地損壞裝置的情況下,將具有低于50微米的厚度的半導體裸片從所述帶去除。
可能存在額外缺陷和缺點。
發(fā)明內(nèi)容
在一個方面,提供一種設備。所述設備包括:帶;粘合層,其經(jīng)配置以將所述帶選擇性地連接到半導體裝置;以及囊狀物,其安放在所述帶與所述粘合層之間,所述囊狀物具有多個腔室,其經(jīng)配置以選擇性地展開,其中所述多個腔室的展開移動所述囊狀物和粘合層的若干部分遠離所述帶。
在另一方面,提供一種系統(tǒng)。所述系統(tǒng)包括:帶;粘合層,其經(jīng)配置以將所述帶選擇性地連接到半導體裝置;以及囊狀物,其安放在所述帶與所述粘合層之間,所述囊狀物具有多個腔室,其經(jīng)配置以選擇性地展開,其中所述多個腔室的展開移動所述囊狀物和粘合層的若干部分遠離所述帶;以及多個導管,其經(jīng)配置以提供流體來展開所述多個腔室中的每一者。
在又一方面,提供一種將半導體裝置從帶去除的方法。所述方法包括:在帶與粘合層之間提供囊狀物,所述粘合層選擇性地將所述半導體裝置附接到所述帶;以及展開所述囊狀物內(nèi)的腔室,其中腔室的展開移動半導體裝置遠離所述帶。
附圖說明
圖1是可用于將半導體裝置從帶去除的系統(tǒng)的實施例的橫截面示意圖。
圖2是帶、囊狀物和粘合層的組合件的實施例的橫截面示意圖,其中囊狀物安放在帶與粘合層之間。
圖3是可用于將半導體裝置從帶去除的系統(tǒng)的實施例的橫截面示意圖,其中囊狀物內(nèi)的腔室處于塌縮狀態(tài)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





