[發(fā)明專利]一種發(fā)光元件以及顯示面板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811628071.0
• 申請日: 2018-12-28
• 公開（公告）號: CN109755400B
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙偉;許瑾;逄輝
• 申請（專利權(quán)）人: 云谷（固安）科技有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L27/32
• 代理公司: 北京布瑞知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11505
• 代理人: 孟潭

本發(fā)明實施例提供了一種發(fā)光元件以及顯示面板，解決了現(xiàn)有技術(shù)中顯示裝置中載流子注入到發(fā)光層的效率低從而使得顯示裝置的發(fā)光效率低、壽命短的技術(shù)問題。本發(fā)明實施例所提供的一種發(fā)光元件，包括多個發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中相鄰兩個發(fā)光結(jié)構(gòu)之間設(shè)置電荷產(chǎn)生層，其中電荷產(chǎn)生層包括電子傳輸部和空穴傳輸部，其中空穴傳輸部包括疊加設(shè)置第一空穴傳輸層、第二空穴傳輸層，其中第一空穴傳輸層靠近電子傳輸部，第二空穴傳輸層靠近陰極，第二空穴傳輸層的空穴遷移率大于第一空穴傳輸層的空穴遷移率，降低了空穴傳輸過程中的損耗，增加了空穴的傳輸率，提高了空穴注入到發(fā)光層的效率，從而提高了疊層有機發(fā)光裝置的發(fā)光效率，提高了顯示裝置的壽命。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種發(fā)光元件以及顯示面板。

背景技術(shù)

現(xiàn)有技術(shù)中有機發(fā)光裝置，為了增加發(fā)光裝置的發(fā)光效率和亮度，使用疊層有機發(fā)光二極管，即通過電荷產(chǎn)生層將多個EL單元串聯(lián)連接的有機發(fā)光二極管，相比于傳統(tǒng)有機發(fā)光二極管可以實現(xiàn)成倍的亮度和效率，并且具有更長的壽命，但是電荷產(chǎn)生層在工作過程中存在載流子傳導(dǎo)損耗和電子注入損耗，載流子遷移率低，因此使得載流子注入到發(fā)光層的效率低，從而使得疊層有機發(fā)光裝置的發(fā)光效率低，壽命短的問題。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明實施例提供了一種發(fā)光元件以及顯示面板，解決了現(xiàn)有技術(shù)中顯示裝置中載流子注入到發(fā)光層的效率低從而使得顯示裝置的發(fā)光效率低、壽命短的技術(shù)問題。

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)手段和優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步詳細(xì)說明。顯然，所描述的實施例僅是本申請一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本申請中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本申請保護的范圍。

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，本發(fā)明實施例提供了一種發(fā)光元件，包括：

陽極；設(shè)置在所述陽極一側(cè)的陰極；設(shè)置在所述陽極與所述陰極之間且疊加設(shè)置的多個發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括發(fā)光層；以及，設(shè)置在相鄰兩個所述發(fā)光結(jié)構(gòu)之間的電荷產(chǎn)生層，所述電荷產(chǎn)生層包括：層疊設(shè)置的空穴傳輸部和電子傳輸部，所述空穴傳輸部用于將空穴傳輸?shù)剿鱿噜弮蓚€發(fā)光結(jié)構(gòu)中的一個發(fā)光結(jié)構(gòu)中的發(fā)光層中，所述電子傳輸部用于將電子傳輸?shù)剿鱿噜弮蓚€所述發(fā)光結(jié)構(gòu)中的另一個發(fā)光結(jié)構(gòu)中的發(fā)光層中；其中，所述空穴傳輸部包括層疊設(shè)置的至少兩層空穴傳輸層，其中所述至少兩層空穴傳輸層的空穴遷移率沿所述陽極向所述陰極的方向逐漸增大。

在一實施例中，所述至少兩層空穴傳輸層中包括緊鄰所述電子傳輸部設(shè)置的第一空穴傳輸層和第二空穴傳輸層，所述第二空穴傳輸層位于第一空穴傳輸層和所述陰極之間，

其中，所述第一空穴傳輸層的主體材料的HOMO能級高于所述第二空穴傳輸層的主體材料的HOMO能級。

在一實施例中，所述空穴傳輸部還包括設(shè)置在所述第二空穴傳輸層靠近所述陰極一側(cè)的第三空穴傳輸層；其中，所述第三空穴傳輸層與所述第一空穴傳輸層的主體材料相同。

在一實施例中，所述空穴傳輸部還包括設(shè)置在所述第二空穴傳輸層靠近所述陰極一側(cè)的第三空穴傳輸層；其中，所述第三空穴傳輸層與所述第二空穴傳輸層的主體材料相同。

在一實施例中，所述第二空穴傳輸層的厚度大于或者等于所述第一空穴傳輸層的厚度，

優(yōu)選地，所述第三空穴傳輸層的厚度大于或者等于所述第二空穴傳輸層的厚度。

在一實施例中，所述電子傳輸部包括層疊設(shè)置的至少兩層電子傳輸層，其中所述至少兩層電子傳輸層的電子遷移率沿所述陰極向所述陽極的方向逐漸增大。

在一實施例中，所述電子傳輸部包括緊鄰所述空穴傳輸部設(shè)置的第一電子傳輸層和第二電子傳輸層，所述第二電子傳輸層位于第一電子傳輸層和所述陽極之間，其中，