[發明專利]芯片封裝結構和封裝方法

在審

• 申請號: 201811626564.0
• 申請日: 2018-12-28
• 公開（公告）號: CN109801894A
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發明（設計）人: 孫鵬;任玉龍;劉軍;呂書臣
• 申請（專利權）人: 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/528;H01L23/538;H01L23/31;H01L25/07
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 劉林濤

1.一種芯片封裝結構，其特征在于，至少包括：

底面相對貼合的第一芯片和第二芯片；

多個導電柱，分布在所述第一芯片周圍；

引線，連接在所述第二芯片正面和金屬端子的第一面之間；

封裝層，包封所述第一芯片、第二芯片、引線、導電柱，具有第一表面及與所述第一表面相對立的第二表面，所述第一表面暴露所述第一芯片的正面和所述導電柱的第二面，所述第二表面暴露所述第二芯片正面的預設區域；

引出層，設置在所述封裝層的第一表面上，分別與所述導電柱的第一面和/或第一芯片的正面電連接。

2.如權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述封裝層包括第一封裝層，包封所述第一芯片，并暴露所述第一芯片的背面。

第二封裝層，設置在所述第一封裝層上，包封所述第二芯片，并暴露所述第二芯片正面的預設區域。

3.如權利要求2所述的芯片封裝結構，其特征在于，

所述導電柱貫穿所述第一封裝層，所述導電柱的第一面在所述第一封裝層面向所述第一芯片背面的一面的表面具有延伸部。

4.如權利要求3所述的芯片封裝結構，其特征在于，

所述延伸部的表面具有與所述引線適配的鍍層。

5.如權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，

所述第二芯片為探測芯片，所述預設區域為探測區域。

6.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述引出層包括：第一介質層，設置在所述封裝層的第一面上，具有與所述導電柱第二面、第一芯片的焊盤相對的第一通孔；

重布線層，所述重布線層形成在所述第一介質層背離所述封裝層的一面，通過所述通孔與所述導電柱的第二面和第一芯片的焊盤電連接；

第二介質層，設置在所述重布線層背離所述第一介質層的一面，具有第二通孔；

引腳，分布第二通孔內。

7.一種芯片封裝方法，其特征在于，包括：

提供一載片并在所述載片上倒裝第一芯片，制作第一封裝層，所述第一封裝層背離所述載片的一面暴露所述第一芯片的背面；

在所述第一封裝層上形成貫穿所述第一封裝層的導電柱；

在所述第一芯片的背面正裝所述第二芯片，并在所述第二芯片的正面焊盤和與所述焊盤對應的所述導電柱之間連接引線；

在所述第一封裝層上制作第二封裝層；

在所述第二封裝層背離所述第一封裝層的一面正對所述第二芯片的預設區域開槽，暴露所述預設區域；

拆除所述載片并在所述第一封裝層拆除所述載片的一面形成引出層。

8.如權利要求7所述的封裝方法，其特征在于，所述在所述第一封裝層上形成貫穿所述第一封裝層的導電柱包括：

在所述第一封裝層上形成貫穿所述第一封裝層的盲孔；

金屬填充所述盲孔，并在所述第一封裝層的背離所述載片的一面的表面形成延伸部；

在所述延伸部表面金屬化鍍與所述引線適配的鍍層。

9.如權利要求8所述的封裝方法，其特征在于，

在所述封裝層拆除所述載片的一面形成第一介質層；

在所述第一介質層背離所述封裝層的一面形成重布線層；

在所述重布線層背離所述第一介質層的一面形成第二介質層；

在第二通孔內形多個引腳。