[發明專利]用于化學氣相沉積的進氣口元件及其制造方法在審
| 申請號: | 201811626515.7 | 申請日: | 2009-12-03 |
| 公開(公告)號: | CN110079789A | 公開(公告)日: | 2019-08-02 |
| 發明(設計)人: | 米哈伊爾·貝魯索夫;博揚·米特洛維克;耿·莫伊 | 申請(專利權)人: | 威科儀器有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/458 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 劉培培 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 進氣口 管狀元件 氣體分布 長形 化學氣相沉積反應器 化學氣相沉積 氣體分布元件 晶片載體 排放氣體 下游方向 延伸穿過 中間平面 反應器 非對稱 軸旋轉 垂直 上游 制造 | ||
1.一種進氣口元件,其特征在于,具有氣體分布表面,所述氣體分布表朝向下游方向,并在相互垂直且垂直于下游方向的X和Y水平方向上延伸,所述進氣口元件具有多個長形的進氣口,適于將氣體在所述下游方向排放至反應室內,所述長形的進氣口在X水平方向上相互平行地延伸,所述長形的進氣口設置為在氣體分布表面的主要部分上延伸的模式,所述長形的進氣口包括多個用于排放第一氣體的第一進氣口,以及多個用于排放第二氣體的第二進氣口,所述第一進氣口在Y水平方向上相互間隔設置,所述第二進氣口在Y水平方向上相互間隔設置,并與第一進氣口穿插,其中,所述第一和第二進氣口設置為關于沿X水平方向延伸的中間平面成反對稱的模式,使得對于任何距X方向中間平面的一側為正Y距離的第一進氣口,都在相應的、距X方向中間平面的相對側為負Y距離處設置第二進氣口,因此,一旦所述第一反應氣體和所述第二反應氣體從所述第一進氣口和所述第二進氣口排放到靠近旋轉的晶片載體的位置,所述第一反應氣體和所述第二反應氣體就被卷入旋轉氣流并且彼此混合,以使物質在由所述載體保持的晶片上沉積。
2.根據權利要求1所述的進氣口元件,其特征在于,所述進氣口元件還包括氣體分布元件,每個所述氣體分布元件具有內部鉆孔和設置在所述內部鉆孔的下游的壁,所述壁具有開口,每個所述長形的進氣口都通過所述開口與各自的其中一個內部鉆孔連通。
3.根據權利要求1所述的進氣口元件,其特征在于,至少一些所述氣體分布元件被間隔分隔開,并且,在所述間隔的下游形成有間隙,該間隙與所述間隔連通,從而使得第三氣體能夠通過所述間隔排放。
4.根據權利要求1所述的進氣口元件,其特征在于,擴散器元件位于所述間隔之間。
5.根據權利要求4所述的進氣口元件,其特征在于,所述擴散器元件在所述下游方向為錐形。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





