[發明專利]一種氮化鎵基發光二極管外延片及其制作方法在審
| 申請號： | 201811625823.8 | 申請日： | 2018-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN109768130A | 公開（公告）日： | 2019-05-17 |
| 發明（設計）人： | 劉旺平;喬楠;呂蒙普;胡加輝;李鵬 | 申請（專利權）人： | 華燦光電（浙江）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化鎵基發光二極管 空穴 外延片 源層 電離能 襯底 受主 半導體技術領域 發光效率 依次層疊 注入電流 不對稱 增大的 制作 摻雜 | ||
1.一種氮化鎵基發光二極管外延片，所述氮化鎵基發光二極管外延片包括襯底、N型半導體層、有源層和P型半導體層，所述N型半導體層、所述有源層和所述P型半導體層依次層疊在所述襯底上，其特征在于，所述P型半導體層的材料采用摻雜Be的GaN。
2.根據權利要求1所述的氮化鎵基發光二極管外延片，其特征在于，所述P型半導體層中Be的摻雜濃度為1018/cm3～1020/cm3。
3.根據權利要求1或2所述的氮化鎵基發光二極管外延片，其特征在于，所述氮化鎵發光二極管外延片還包括插入層，所述插入層的材料采用摻雜Mg的AlxInyGa1-x-yN，0.1＜x＜0.3，0＜y＜0.1，所述插入層設置在所述N型半導體層和所述有源層之間。
4.根據權利要求3所述的氮化鎵基發光二極管外延片，其特征在于，所述插入層中Mg的摻雜濃度為所述P型半導體層中Be的摻雜濃度的1/200～1/50。
5.根據權利要求4所述的氮化鎵基發光二極管外延片，其特征在于，所述插入層中Mg的摻雜濃度為1016/cm3～1018/cm3。
6.根據權利要求3所述的氮化鎵基發光二極管外延片，其特征在于，所述插入層的厚度為5nm～15nm。
7.根據權利要求1或2所述的氮化鎵基發光二極管外延片，其特征在于，所述氮化鎵發光二極管外延片還包括電子阻擋層，所述電子阻擋層的材料采用摻雜Mg的AlzGa1-zN，0.1＜z＜0.6，所述電子阻擋層設置在所述有源層和所述P型半導體層之間。
8.根據權利要求7所述的氮化鎵基發光二極管外延片，其特征在于，所述氮化鎵發光二極管外延片還包括低溫P型層，所述低溫P型層的材料采用摻雜Be的GaN，所述低溫P型層設置在所述有源層和所述電子阻擋層之間。
9.根據權利要求8所述的氮化鎵基發光二極管外延片，其特征在于，所述低溫P型層中Be的摻雜濃度與所述P型半導體層中Be的摻雜濃度相同。
10.一種氮化鎵基發光二極管外延片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供一襯底；
在所述襯底上依次生長N型半導體層、有源層和P型半導體層；
其中，所述P型半導體層的材料采用摻雜Be的GaN。
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