[發(fā)明專利]顯示面板及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811625477.3 | 申請日: | 2018-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN109742102B | 公開(公告)日: | 2020-12-25 |
| 發(fā)明(設計)人: | 唐甲;任章淳 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一種顯示面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供一襯底,在所述襯底上依次形成有源層、第一絕緣層及第一金屬層;
在所述第一金屬層上形成第一光阻層,對所述第一光阻層進行第一光罩工藝;
對所述有源層、所述第一絕緣層及所述第一金屬層進行第一次蝕刻工藝;
對所述第一光阻層進行灰化處理;
對所述第一金屬層進行第二蝕刻工藝,使得所述第一金屬層形成第一柵極和第二柵極;
在所述第一柵極及所述第二柵極上形成源漏極;
對所述有源層、所述第一絕緣層及所述第一金屬層進行第一次蝕刻工藝的步驟包括:
對所述第一金屬層進行第一濕法蝕刻工藝,圖案化處理后的所述第一金屬層包括第一金屬區(qū)和第二金屬區(qū);
對所述第一絕緣層進行第一干法蝕刻工藝,圖案化處理后的所述第一絕緣層包括第一絕緣區(qū)和第二絕緣區(qū);
對所述有源層進行第二濕法蝕刻工藝,圖案化處理后的所述有源層包括第一有源區(qū)和第二有源區(qū);
所述第一有源區(qū)、第一金屬區(qū)及所述第一絕緣區(qū)與第一光阻區(qū)對應;
所述第二有源區(qū)、第二金屬區(qū)及所述第二絕緣區(qū)與第二光阻區(qū)對應;
在所述第一金屬層上形成第一光阻層,對所述第一光阻層進行第一光罩工藝的步驟包括:
在所述第一金屬層上形成所述第一光阻層;
利用一多段式掩膜版,對所述第一光阻層曝光及顯影處理;
其中,圖案化處理后的所述第一光阻層包括第一光阻區(qū)和第二光阻區(qū),所述第一光阻區(qū)包括第一光阻子區(qū)域和第二光阻子區(qū)域,所述第二光阻區(qū)包括第三光阻子區(qū)域和第四光阻子區(qū)域,
第一光阻子區(qū)域、第二光阻子區(qū)域、第三光阻子區(qū)域、及第四光阻子區(qū)域的厚度不相同;
對所述第一金屬層進行第二蝕刻工藝,使得所述第一金屬層形成第一柵極和第二柵極的步驟包括:
利用第三濕法蝕刻工藝去除第一金屬區(qū)內(nèi)未被光阻所覆蓋的所述第一金屬層以形成所述第一柵極、以及去除第二金屬區(qū)內(nèi)未被光阻所覆蓋的所述第一金屬層以形成所述第二柵極;
利用第二干法蝕刻工藝去除第一絕緣區(qū)內(nèi)未被光阻所覆蓋的所述第一絕緣層以形成第一柵絕緣層、以及去除第二絕緣區(qū)內(nèi)未被光阻所覆蓋的所述第一絕緣層以形成第二柵絕緣層;
所述第一柵極及所述第一柵絕緣層位于第一有源區(qū)上;
所述第二柵極及所述第二柵絕緣層位于第二有源區(qū)上;
在所述第一柵極及所述第二柵極上形成源漏極的步驟包括:
在所述第一柵極及所述第二柵極上形成第二絕緣層;
在所述第二絕緣層上形成第一過孔和第二過孔;
在所述第二絕緣層上形成第二金屬層;
對所述第二金屬層使用第三蝕刻工藝,使所述第二金屬層形成第一源漏極和第二源漏極;
所述第一過孔位于第二光阻子區(qū)域所對應的所述第二絕緣層上,所述第二過孔位于第四光阻子區(qū)域所對應的所述第二絕緣層上;
所述第一源漏極通過所述第一過孔與第一有源區(qū)電連接;
所述第二源漏極通過所述第二過孔與第二有源區(qū)電連接;
其中,所述第二源漏極、所述第二柵極以及所述第二有源區(qū)形成所述顯示面板的存儲電容。
2.根據(jù)權利要求1所述的顯示面板的制作方法,其特征在于,
所述第一光阻區(qū)包括一所述第一光阻子區(qū)域和兩所述第二光阻子區(qū)域,所述第二光阻子區(qū)域位于所述第一光阻子區(qū)域的兩側;
所述第二光阻區(qū)包括一所述第三光阻子區(qū)域和一所述第四光阻子區(qū)域,所述第三光阻子區(qū)域位于所述第四光阻子區(qū)域的一側。
3.根據(jù)權利要求1所述的顯示面板的制作方法,其特征在于,所述第一光阻子區(qū)域的厚度大于所述第二光阻子區(qū)域的厚度;
所述第三光阻子區(qū)域的厚度大于所述第四光阻子區(qū)域的厚度。
4.根據(jù)權利要求1所述的顯示面板的制作方法,其特征在于,對所述第一光阻層進行灰化處理的步驟包括:
使用等離子體對第一光阻區(qū)及第二光阻區(qū)內(nèi)的光阻進行灰化處理,去除第二光阻子區(qū)域和第四光阻子區(qū)域內(nèi)的光阻,并使第一光阻子區(qū)域和第三光阻子區(qū)域內(nèi)光阻的厚度減薄。
5.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板采用如權利要求1~4任一項所述的顯示面板的制作方法制成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





