[發(fā)明專利]一種基于非晶氧化鎵基薄膜晶體管的深紫外光電探測器

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811624877.2
• 申請(qǐng)日: 2018-12-28
• 公開（公告）號(hào): CN109742180A
• 公開（公告）日: 2019-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梁凌燕;肖溪;曹鴻濤;裴郁;段宏筱
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所
• 主分類號(hào): H01L31/113
• 分類號(hào): H01L31/113;H01L31/0376;H01L31/032
• 代理公司: 杭州天勤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 33224
• 代理人: 劉誠午

1.一種基于非晶氧化鎵基薄膜晶體管的深紫外光電探測器，包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括襯底、柵電極、柵介質(zhì)層、溝道層、源電極和漏電極；其特征在于，

所述溝道層為非晶氧化鎵基薄膜；

所述薄膜晶體管為底柵結(jié)構(gòu)，所述襯底上設(shè)有柵電極，柵電極外覆蓋有柵介質(zhì)層，柵介質(zhì)層上部分覆蓋有溝道層，溝道層的兩端部分別設(shè)有源電極和漏電極；或，

所述薄膜晶體管為頂柵結(jié)構(gòu)，所述襯底覆蓋有溝道層，溝道層上部分覆蓋有柵介質(zhì)層，柵介質(zhì)層的兩端部分別設(shè)有源電極和漏電極，柵介質(zhì)層上設(shè)有柵電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于非晶氧化鎵基薄膜晶體管的深紫外光電探測器，其特征在于，所述非晶氧化鎵基薄膜包括非晶氧化鎵和摻雜元素，所述摻雜元素選自鋅、鎂、錫、硅、鎘或銦中的一種或至少兩種的組合；所述摻雜元素與鎵元素的原子比為0.01-0.25:0.75-0.99。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于非晶氧化鎵基薄膜晶體管的深紫外光電探測器，其特征在于，所述非晶氧化鎵基薄膜包括非晶氧化鎵和摻雜元素鋅，所述摻雜元素鋅與鎵元素的原子比為0.05-0.2:0.80-0.95。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的非晶氧化鎵基薄膜晶體管深紫外光電探測器，其特征在于，所述非晶氧化鎵基薄膜的厚度為10nm-200nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的非晶氧化鎵基薄膜晶體管深紫外光電探測器，其特征在于，所述非晶氧化鎵基薄膜的厚度為15nm-20nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于非晶氧化鎵基薄膜晶體管的深紫外光電探測器，其特征在于，所述柵介質(zhì)層的材料選自含有硅、鋁、鎂、鈣、釓、鉿、鋯、鈧、镥、釔、鍶或鑭中的一種或至少兩種氧化物的組合。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于非晶氧化鎵基薄膜晶體管的深紫外光電探測器，其特征在于，所述柵電極、源電極和漏電極的材料均選自鋁、銅、鉬、鈦、銀、金、鉭、鎢、鉻或鉑中的一種或至少兩種的組合。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基于非晶氧化鎵基薄膜晶體管的深紫外光電探測器，其特征在于，所述柵電極、源電極和漏電極的材料選自ITO/Au。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于非晶氧化鎵基薄膜晶體管的深紫外光電探測器，其特征在于，所述源電極和所述漏電極的結(jié)構(gòu)為平行對(duì)電極或叉指電極。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于非晶氧化鎵基薄膜晶體管的深紫外光電探測器，其特征在于，所述柵電極、柵介質(zhì)層、源電極和漏電極采用鍍膜工藝制備，所述溝道層采用溶液法旋涂工藝制備。