[發明專利]一種基于漢明碼實現數據糾錯的存儲器電路有效
| 申請號: | 201811622682.4 | 申請日: | 2018-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN109766213B | 公開(公告)日: | 2022-09-06 |
| 發明(設計)人: | 李林;溫建新 | 申請(專利權)人: | 上海微阱電子科技有限公司 |
| 主分類號: | G06F11/10 | 分類號: | G06F11/10 |
| 代理公司: | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 陶金龍;張磊 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新區中國*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 漢明碼 實現 數據 糾錯 存儲器 電路 | ||
一種基于漢明碼實現數據糾錯的存儲器電路和操作方法,該電路包括:編碼模塊和解碼模塊;該編碼模塊包括信息碼輸入單元、監督碼產生單元、監督碼緩存單元及信息碼和監督碼混合單元;解碼模塊包括分離單元、信息碼輸入緩存單元、校驗單元及糾錯單元。分離單元接收從存儲器中取出一混合信息碼組,將混合信息碼分解成M位的第二信息碼組和N位的第二監督碼組。本發明的漢明碼糾錯方式,不僅可以確保數據在存儲器間傳輸時的一致性,還可以應用于對容錯要求很高的場所,特別是偶然出錯的存儲器,大幅度提高穩定性,更是能基于電路糾錯實現高可靠性。
技術領域
本發明涉及信息安全領域,尤其涉及使用漢明碼編碼對順序相鄰數據的校驗方式,包括編碼方式與校驗方式,特別涉及一種基于漢明碼實現數據糾錯的存儲器電路。
背景技術
在一些外部環境比較惡劣的情況下,一些大規模集成電路常常會受到干擾,導致不能正常工作。特別是像RAM這種利用雙穩態進行存儲的器件,往往會在強干擾下發生翻轉,使原來存儲的0變為1,或者1變為0,造成的后果往往是很嚴重的。例如,導致一些控制程序跑飛,存儲的關鍵數據出錯等等。
隨著芯片集成度的增加,發生錯誤的可能性也在增大。在一些特定的應用中,這已經成為一個不能忽視的問題。例如在電子應用領域,偶發性失效就成為困擾設計師的一個難題。
目前,業界通常解決的方法有兩種:
第一種,只能查錯,但不能糾錯,請參閱下表:
設計 方法 特點 舉例說明 簡單校驗 奇偶校驗 易于實現,只能查錯,不能糾錯 UART
第二種,既能查錯,也能糾錯,請參閱下表:
從表可以看出,采用錯誤檢測與糾正EDAC(Error Detection And Correction)電路來有效地減少或避免存儲的關鍵數據出錯的出現。根據檢錯、糾錯的原理,主要思想是在數據寫入時,根據寫入的數據生成一定位數的校驗碼,與相應的數據一起保存起來;當讀出的同時,也將校驗碼讀出,進行判決。
針對這樣的離散隨機錯誤,使用Hamming編解碼能很好的校驗糾錯。如果出現一位錯誤則自動糾正,將正確的數據送出,并同時將改正以后的數據回寫覆蓋原來錯誤的數據;如果出現兩位錯誤則產生中斷報告,通知CPU進行異常處理。所有這一切動作都是靠硬件設計自動完成的,具有實時性和自動完成的特點。通過這樣的EDAC電路,能大大提高系統的抗干擾能力,從而提高系統的可靠性。
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