[發明專利]二氧化硅包覆硫化亞銅納米晶核殼結構及其制備方法

在審

• 申請號: 201811622083.2
• 申請日: 2018-12-28
• 公開（公告）號: CN109568581A
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發明（設計）人: 劉玉峰;陳鵬;房永征;楊永閣;李倩倩;侯京山;張娜;趙國營
• 申請（專利權）人: 上海應用技術大學
• 主分類號: A61K41/00
• 分類號: A61K41/00;A61K9/50;A61K47/04;B82Y5/00
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司 31001
• 代理人: 王婧

1.一種二氧化硅包覆硫化亞銅納米晶核殼結構，其特征在于，包括：硫化亞銅納米晶形成的核層和二氧化硅形成的殼層，二氧化硅包覆在硫化亞銅納米晶外側。

2.如權利要求1所述的二氧化硅包覆硫化亞銅納米晶核殼結構，其特征在于，所述的硫化亞銅納米晶在二氧化硅球內部呈均勻分布。

3.權利要求1或2所述的二氧化硅包覆硫化亞銅納米晶核殼結構的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1：將Cu₂S納米晶置于正戊烷中，超聲，得到分散均勻的Cu₂S納米晶溶液；

步驟2：在攪拌條件下，向Cu₂S納米晶溶液加入表面活性劑溶液，然后加入稀鹽酸，最后分批次加入有機硅氧烷，持續攪拌進行反應，反應結束，無水乙醇洗滌后，離心，所得沉淀即為二氧化硅包覆硫化亞銅納米晶核殼結構。

4.如權利要求1所述的二氧化硅包覆硫化亞銅納米晶核殼結構的制備方法，其特征在于，所述的步驟1中，Cu₂S納米晶與正戊烷的用量比為1-5mg：2-10mL，攪拌時間為10-30min。

5.如權利要求1所述的二氧化硅包覆硫化亞銅納米晶核殼結構的制備方法，其特征在于，所述的步驟2中，表面活性劑溶液、稀鹽酸和有機硅氧烷的體積比為0.2-0.5mL：50-100μL:50-100μL。

6.如權利要求1所述的二氧化硅包覆硫化亞銅納米晶核殼結構的制備方法，其特征在于，所述的Cu₂S納米晶和表面活性劑溶液的用量比為1-5mg：0.2-0.5mL。

7.如權利要求1所述的二氧化硅包覆硫化亞銅納米晶核殼結構的制備方法，其特征在于，所述的步驟2中的持續攪拌時間為5-24h。

8.如權利要求1所述的二氧化硅包覆硫化亞銅納米晶核殼結構的制備方法，其特征在于，所述的步驟2中的無水乙醇洗滌次數為3-5次，離心轉速為5000-9000rpm，所獲得二氧化硅包覆硫化亞銅納米晶核殼結構分散于無水乙醇中保存。

9.如權利要求1所述的二氧化硅包覆硫化亞銅納米晶核殼結構的制備方法，其特征在于，所述的步驟2中的稀鹽酸的濃度低于10％。

10.如權利要求1所述的二氧化硅包覆硫化亞銅納米晶核殼結構的制備方法，其特征在于，所述表面活性劑選自IgepaL co-520、IgepaL co-630、APTES以及十八烷基硫酸鈉中的一種。