[發明專利]多層陶瓷電子組件有效
| 申請號: | 201811622003.3 | 申請日: | 2018-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN110880413B | 公開(公告)日: | 2022-12-23 |
| 發明(設計)人: | 金汎洙;李長烈;李種晧 | 申請(專利權)人: | 三星電機株式會社 |
| 主分類號: | H01G4/012 | 分類號: | H01G4/012;H01G4/232;H01G4/30 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 何巨;孫麗妍 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多層 陶瓷 電子 組件 | ||
1.一種多層陶瓷電子組件,所述多層陶瓷電子組件包括:
陶瓷主體,包括介電層和設置為彼此面對的多個內電極,并且所述介電層介于所述多個內電極之間,所述陶瓷主體具有在第一方向上彼此相對的第一表面和第二表面、連接到所述第一表面和所述第二表面并且在第二方向上彼此相對的第三表面和第四表面以及連接到所述第一表面至所述第四表面并且在第三方向上彼此相對的第五表面和第六表面,所述多個內電極具有通過所述第三表面或所述第四表面暴露的端部;以及
外電極,設置在所述陶瓷主體的所述第三表面和所述第四表面上以電連接到所述內電極,
其中,所述外電極包括電連接到所述內電極的電極層和設置在所述電極層上的鍍層,所述電極層和所述鍍層從所述陶瓷主體的所述第三表面或所述第四表面延伸到所述陶瓷主體的所述第一表面和所述第二表面,并且在位于作為所述電極層的總寬度BW的中點的點周圍±0.2BW的范圍內的區域中的至少一個點處,所述電極層和所述鍍層中的一者在設置在所述陶瓷主體的所述第一表面和所述第二表面上的部分上的切線的斜率彼此相反,所述電極層的總寬度BW為所述電極層的設置在所述陶瓷主體的所述第一表面或所述第二表面上的部分的總寬度。
2.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子組件,其中,所述電極層設置在所述第三表面和所述第四表面中的至少一個上,并且包括電連接到所述內電極的第一層以及按照如下方式設置在所述第一層上的第二層:所述第二層的設置在所述陶瓷主體的所述第一表面上或所述第二表面上的部分的寬度小于所述第一層的設置在所述陶瓷主體的所述第一表面上或所述第二表面上的部分的寬度。
3.根據權利要求2所述的多層陶瓷電子組件,其中,所述電極層的設置在所述陶瓷主體的所述第一表面和所述第二表面上的部分的所述總寬度BW是所述第一層的所述寬度。
4.根據權利要求2所述的多層陶瓷電子組件,其中,所述鍍層覆蓋所述第一層的端部部分。
5.根據權利要求2所述的多層陶瓷電子組件,其中,所述第二層覆蓋所述陶瓷主體的拐角部分。
6.根據權利要求2所述的多層陶瓷電子組件,其中,所述第二層的設置在所述陶瓷主體的所述第一表面或所述第二表面上的部分的所述寬度為所述第二層的設置在所述陶瓷主體的所述第一表面或所述第二表面上的部分在所述第二方向上的寬度,并且
所述第一層的設置在所述陶瓷主體的所述第一表面或所述第二表面上的部分的所述寬度為所述第一層的設置在所述陶瓷主體的所述第一表面或所述第二表面上的部分在所述第二方向上的寬度。
7.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子組件,其中,所述介電層中的每個具有0.4微米或更小的厚度并且所述多個內電極中的每個具有0.4微米或更小的厚度。
8.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子組件,其中,所述陶瓷主體包括:有效部分,在所述有效部分中,通過包括彼此相對地設置的所述多個內電極并且使所述介電層介于所述多個內電極之間形成電容;以及蓋部分,設置在所述有效部分的上方和下方,并且
所述蓋部分中的每個的厚度為20微米或更小。
9.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子組件,其中,所述電極層和所述鍍層中的所述一者的所述切線的所述斜率彼此相反處于的所述點是切線的斜率從負值變為正值的點。
10.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子組件,其中,所述至少一個點位于作為所述電極層的總寬度BW在所述第二方向上的中點的點周圍在所述第二方向上±0.2BW的范圍內的區域中,所述電極層的總寬度BW為所述電極層在所述陶瓷主體的所述第一表面或所述第二表面上的部分在所述第二方向上的總寬度。
11.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子組件,其中,所述電極層包括導電金屬和玻璃。
12.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子組件,其中,所述鍍層包括鎳鍍層和錫鍍層。
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